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SIHB33N60ET1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/4/3 9:58:28 查看 閱讀:34

SIHB33N60ET1-GE3 是一款由 Semikron 生產(chǎn)的 IGBT 模塊,屬于 ET 系列。該模塊采用了先進(jìn)的封裝技術(shù),能夠提供高效率和低損耗性能,適用于工業(yè)驅(qū)動、新能源發(fā)電及電源轉(zhuǎn)換等應(yīng)用場景。此模塊具有較高的電壓和電流處理能力,同時具備出色的熱管理和可靠性。
  該模塊集成了多個 IGBT 芯片與二極管芯片,并采用半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)設(shè)計,方便用戶構(gòu)建多相逆變器或復(fù)雜功率變換電路。

參數(shù)

額定電壓:600V
  額定電流:33A
  開關(guān)頻率:最高 20kHz
  功耗:典型值 5W
  結(jié)溫范圍:-40°C 至 +150°C
  導(dǎo)通壓降:約 2.0V(典型值)
  關(guān)斷時間:約 100ns(典型值)
  封裝類型:SEMI2 封裝

特性

1. 高效功率轉(zhuǎn)換能力,適用于中等功率應(yīng)用場合。
  2. 內(nèi)部集成有快速恢復(fù)二極管,降低整體損耗。
  3. 半橋拓?fù)湓O(shè)計簡化了電路布局并減少了外部元件數(shù)量。
  4. 具備過流保護(hù)功能,增強(qiáng)了系統(tǒng)的安全性和穩(wěn)定性。
  5. 改進(jìn)的散熱設(shè)計確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無害。
  7. 可靠性高,適合長時間連續(xù)工作環(huán)境。

應(yīng)用

1. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動和伺服系統(tǒng)。
  2. 太陽能逆變器和其他可再生能源發(fā)電設(shè)備。
  3. 不間斷電源 (UPS) 和其他電力電子裝置。
  4. 電動汽車充電站和車載 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  5. 焊接機(jī)和感應(yīng)加熱設(shè)備。
  6. 高頻感應(yīng)加熱和金屬熔煉應(yīng)用。

替代型號

SIHB50N60ET1-GE3, SIHB25N60ET1-GE3

sihb33n60et1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sihb33n60et1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價格1 : ¥49.13000剪切帶(CT)800 : ¥30.76185卷帶(TR)
  • 系列E
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)600 V
  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)33A(Tc)
  • 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)99 毫歐 @ 16.5A,10V
  • 不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值)150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)3508 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)278W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝D2PAK(TO-263)
  • 封裝/外殼TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB