SIHG065N60E-GE3 是一款高性能� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,由知名半導(dǎo)體制造商生產(chǎn)。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,能夠提供低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度,非常適合用于各種開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動和其他功率管理�(yīng)用。其額定電壓� 600V,能夠承受較高的反向電壓,同時具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠��
最大漏源電壓:600V
最大連續(xù)漏極電流�6.5A
最大柵源電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.55Ω
總功耗:14W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
SIHG065N60E-GE3 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,支持高�(dá) 600V 的漏源電��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效降低功率損��
3. 快速開�(guān)性能,適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
4. �(nèi)置保�(hù)功能,例如過流保�(hù)和過溫保�(hù),提升系�(tǒng)可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)��
6. 提供卓越的雪崩能力和抗靜電能力(ESD)�
7. �(wěn)定的工作性能,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常運行�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)動和控制電路�
3. 電池充電器和逆變��
4. 家電�(chǎn)品中的功率管理模塊�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
6. 照明系統(tǒng)中的電子�(zhèn)流器� LED �(qū)動器�
7. 各種需要高壓開�(guān)的應(yīng)用場��
SIHG065N60E-D3
IRF650
FQP06N60C