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SIHG47N60EF-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/8 14:15:05 查看 閱讀:27

SIHG47N60EF-GE3 是一款由 Semikron(賽米控)生產(chǎn)的高壓 MOSFET 晶體管,采用 TO-247 封裝。該器件主要應(yīng)用于工業(yè)控制、電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。其額定電壓為 600V,持續(xù)電流為 47A,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特性,適合在高頻開關(guān)電路中使用。
  該型號屬于 Enhanced Fast Recovery 系列,具有優(yōu)化的動(dòng)態(tài)性能和較低的開關(guān)損耗,同時(shí)能夠滿足嚴(yán)格的 EMC 要求。

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流:47A
  導(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷:100nC
  總功耗:280W
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ to +150℃

特性

1. 高壓耐受能力:支持高達(dá) 600V 的漏源電壓,適用于高壓場景。
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 150mΩ,在大電流應(yīng)用中降低功率損耗。
  3. 快速開關(guān)性能:具備較低的柵極電荷 (100nC),從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)速度。
  4. 穩(wěn)定性與可靠性:能夠在高溫環(huán)境下運(yùn)行,工作結(jié)溫可達(dá) +150℃。
  5. 高效散熱設(shè)計(jì):采用 TO-247 封裝,具備良好的散熱性能以適應(yīng)長時(shí)間高負(fù)載運(yùn)行。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保且無鉛,滿足國際環(huán)保法規(guī)要求。

應(yīng)用

1. 工業(yè)變頻器和伺服驅(qū)動(dòng)器中的功率級元件。
  2. 不間斷電源 (UPS) 和太陽能逆變器的核心開關(guān)器件。
  3. 電動(dòng)車充電站及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  4. 開關(guān)電源 (SMPS) 中用于高效能量傳遞的關(guān)鍵組件。
  5. 各類電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),例如空調(diào)壓縮機(jī)、泵和風(fēng)扇等。

替代型號

SIHG47N60EF-G, SIHG47N60EF-GE

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sihg47n60ef-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量492現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ¥79.10000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)600 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)47A(Tc)
  • 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值)67 毫歐 @ 24A,10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)225 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)4854 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)379W(Tc)
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-247AC
  • 封裝/外殼TO-247-3