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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SIHG47N60EF-GE3

SIHG47N60EF-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/8 14:15:05 查看 閱讀�27

SIHG47N60EF-GE3 是一款由 Semikron(賽米控)生�(chǎn)的高� MOSFET 晶體�,采� TO-247 封裝。該器件主要�(yīng)用于工業(yè)控制、電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)等領(lǐng)�。其額定電壓� 600V,持�(xù)電流� 47A,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適合在高頻開關(guān)電路中使��
  該型號屬� Enhanced Fast Recovery 系列,具有優(yōu)化的�(dòng)�(tài)性能和較低的開關(guān)損�,同�(shí)能夠滿足�(yán)格的 EMC 要求�

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�47A
  �(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷�100nC
  總功耗:280W
  工作�(jié)溫范圍:-55� to +150�

特�

1. 高壓耐受能力:支持高�(dá) 600V 的漏源電壓,適用于高壓場��
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值為 150mΩ,在大電流應(yīng)用中降低功率損��
  3. 快速開�(guān)性能:具備較低的柵極電荷 (100nC),從而實(shí)�(xiàn)更快的開�(guān)速度�
  4. �(wěn)定性與可靠性:能夠在高溫環(huán)境下�(yùn)�,工作結(jié)溫可�(dá) +150��
  5. 高效散熱�(shè)�(jì):采� TO-247 封裝,具備良好的散熱性能以適�(yīng)長時(shí)間高�(fù)載運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且無鉛,滿足國際環(huán)保法�(guī)要求�

�(yīng)�

1. 工業(yè)變頻器和伺服�(qū)�(dòng)器中的功率級元件�
  2. 不間斷電� (UPS) 和太陽能逆變器的核心開關(guān)器件�
  3. 電動(dòng)車充電站� DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(zhuǎn)換模塊�
  4. 開關(guān)電源 (SMPS) 中用于高效能量傳遞的�(guān)鍵組��
  5. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng),例如空�(diào)壓縮�(jī)、泵和風(fēng)扇等�

替代型號

SIHG47N60EF-G, SIHG47N60EF-GE

sihg47n60ef-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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sihg47n60ef-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�492�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �79.10000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)47A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)67 毫歐 @ 24A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)225 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)4854 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)379W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-247AC
  • 封裝/外殼TO-247-3