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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIHH100N60E-T1-GE3

SIHH100N60E-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 16:20:03 查看 閱讀�36

SIHH100N60E-T1-GE3 是一款由 SemiSouth 生產(chǎn)的增�(qiáng)� N 溝道功率 MOSFET,基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)。這款器件具有極低的導(dǎo)通電阻和高開�(guān)頻率能力,適用于各種高效能應(yīng)�。它能夠承受高達(dá) 650V 的漏源電�,并提供卓越的熱性能和可靠性。該�(chǎn)品主要面向工�(yè)、可再生能源以及汽車等領(lǐng)域的高性能電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏電流(25°C):100A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�9mΩ
  柵極電荷�75nC
  開關(guān)速度:快�
  封裝類型:D2PAK

特�

SIHH100N60E-T1-GE3 的核心優(yōu)�(shì)在于其使用了先�(jìn)� SiC 材料技�(shù),使其在高溫�(huán)境下依然保持�(yōu)異性能。其超低�(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損�,從而提高效率;同時(shí)具備出色的抗雪崩能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和安全��
  此外,該器件支持高頻操作,這使得設(shè)�(jì)人員可以減少無源元件尺寸并降低整體系�(tǒng)成本。由于其�(qiáng)大的電氣性能和熱�(wěn)定�,該 MOSFET 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于光伏逆變�、不間斷電源 (UPS)、電�(dòng)汽車充電�(shè)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及其他要求高效能量�(zhuǎn)換的工業(yè)�(shè)備中。它的高頻特性還特別適合 DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電路的�(shè)�(jì)�

替代型號(hào)

CMF200A65DY,
  C2M0080120D,
  FFST150R12KT4

sihh100n60e-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sihh100n60e-t1-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�3,000 : �29.24509卷帶(TR�
  • 系列E
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)28A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)100 毫歐 @ 13.5A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)53 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1850 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)174W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? 8 x 8
  • 封裝/外殼8-PowerTDFN