SIHH100N60E-T1-GE3 是一款由 SemiSouth 生產(chǎn)的增�(qiáng)� N 溝道功率 MOSFET,基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)。這款器件具有極低的導(dǎo)通電阻和高開�(guān)頻率能力,適用于各種高效能應(yīng)�。它能夠承受高達(dá) 650V 的漏源電�,并提供卓越的熱性能和可靠性。該�(chǎn)品主要面向工�(yè)、可再生能源以及汽車等領(lǐng)域的高性能電源�(zhuǎn)換系�(tǒng)�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏電流(25°C):100A
�(dǎo)通電阻(典型值)�9mΩ
柵極電荷�75nC
開關(guān)速度:快�
封裝類型:D2PAK
SIHH100N60E-T1-GE3 的核心優(yōu)�(shì)在于其使用了先�(jìn)� SiC 材料技�(shù),使其在高溫�(huán)境下依然保持�(yōu)異性能。其超低�(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損�,從而提高效率;同時(shí)具備出色的抗雪崩能力,增�(qiáng)了系�(tǒng)的可靠性和安全��
此外,該器件支持高頻操作,這使得設(shè)�(jì)人員可以減少無源元件尺寸并降低整體系�(tǒng)成本。由于其�(qiáng)大的電氣性能和熱�(wěn)定�,該 MOSFET 非常適合需要高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于光伏逆變�、不間斷電源 (UPS)、電�(dòng)汽車充電�(shè)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及其他要求高效能量�(zhuǎn)換的工業(yè)�(shè)備中。它的高頻特性還特別適合 DC-DC �(zhuǎn)換器� PFC(功率因�(shù)校正)電路的�(shè)�(jì)�
CMF200A65DY,
C2M0080120D,
FFST150R12KT4