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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SIHP065N60E-GE3

SIHP065N60E-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 11:56:49 查看 閱讀�19

SIHP065N60E-GE3 是一款由 Vishay 推出� N 灃道溝道功率 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件采用了先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能,非常適合用于高頻開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式� TO-247-3L,具有較高的電流處理能力和散熱能��
  這款 MOSFET 主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器以及逆變器等場景,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��

參數(shù)

最大漏源電壓:600V
  最大連續(xù)漏極電流�18A
  最大脈沖漏極電流:90A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�0.65Ω
  柵極電荷�27nC
  輸入電容�1680pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�

特�

SIHP065N60E-GE3 具有以下顯著特點�
  1. 高耐壓能力:額定漏源電壓為�(huán)境下的電路設(shè)計�
  2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅� 0.65Ω,可顯著減少�(dǎo)通損耗�
  3. 快速開�(guān)性能:低柵極電荷和輸入電容確保了更快的開�(guān)速度,從而提高了系統(tǒng)效率�
  4. 良好的熱�(wěn)定性:能夠� -55� � +175� 的寬溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運��
  5. 可靠性高:經(jīng)過嚴格的�(zhì)量控制流�,保證在各種工況下的長期可靠��
  6. 散熱性能�(yōu)越:TO-247-3L 封裝提供了良好的散熱路徑,適合大功率�(yīng)��

�(yīng)�

SIHP065N60E-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 電機�(qū)動與控制
  4. 工業(yè)逆變�
  5. 太陽能逆變�
  6. 不間斷電源(UPS�
  7. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制
  其高耐壓和低損耗特性使其成為許多高�、高效應(yīng)用的理想選擇�

替代型號

SIHP140N60E-GE3
  IRFP460
  FDP18N60

sihp065n60e-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sihp065n60e-ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�2�(xiàn)�
  • 價格1 : �57.72000管件
  • 系列E
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�600 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)40A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)65 毫歐 @ 16A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)98 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)2700 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封�TO-220AB
  • 封裝/外殼TO-220-3