SIP21101DR-33-E3 是一款基于硅工藝的高性能射頻功率晶體�,專為高頻無(wú)線通信�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用匹配�(wǎng)�(luò)和優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),能夠提供出色的增益、效率和線性度性能。它廣泛�(yīng)用于基站、無(wú)線電�(shè)備和其他射頻功率放大�(chǎng)景中�
此型�(hào)中的�-33”表示其工作頻率范圍在特定頻段內(nèi)�(jìn)行了�(yōu)化,適用于多種現(xiàn)代無(wú)線通信�(biāo)�(zhǔn)。此外,E3 后綴表明該器件符合某些環(huán)境或�(zhì)量認(rèn)證要�,例如高可靠性篩選標(biāo)�(zhǔn)�
類型:射頻功率晶體管
封裝:SIP(單列直插式封裝�
工作頻率范圍�30 MHz � 450 MHz
輸出功率�50 W(典型值)
增益�12 dB(典型值)
VSWR耐受性:高于 3:1
電源電壓�28 V
直流功耗:� 60 W
插入損耗:� 0.5 dB
存儲(chǔ)溫度范圍�-55°C � +125°C
工作溫度范圍�-40°C � +100°C
SIP21101DR-33-E3 的主要特性包括:
1. 高輸出功率和效率,適合需要大功率傳輸?shù)�?yīng)��
2. 在寬頻率范圍�(nèi)具有�(wěn)定的性能表現(xiàn),確保信�(hào)的一致性和可靠��
3. �(nèi)置匹配網(wǎng)�(luò),簡(jiǎn)化了外部電路�(shè)�(jì)并降低了系統(tǒng)�(fù)雜度�
4. 提供良好的線性度和低失真性能,滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)的嚴(yán)格要��
5. 具備較高� VSWR 耐受能力,能夠在�(fù)載不匹配的情況下保持�(wěn)定運(yùn)��
6. �(huán)保合�(guī)性,支持�(wú)鉛焊接工�,并通過(guò)�(yán)格的可靠性測(cè)��
SIP21101DR-33-E3 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 射頻功率放大器模�,用于提升無(wú)線信�(hào)�(qiáng)��
2. 基站�(fā)射機(jī),支� GSM、CDMA � LTE 等多種通信�(biāo)�(zhǔn)�
3. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)� (ISM) 頻段�(shè)�,如射頻加熱裝置或測(cè)試儀��
4. 民用和軍用無(wú)線電通信系統(tǒng),包括對(duì)講機(jī)和移�(dòng)電臺(tái)�
5. �(cè)試與�(cè)量設(shè)備,用于�(píng)估射頻組件性能�
SIP21101DR-25-E3, SIP21101DR-33-E2, SIP21101DR-45-E3