SIR402DP 是一款來� Vishay � N 灃道晶體�,采� TrenchFET Gen III 技�(shù)制�。該晶體管具有極低的導通電阻(Rds(on)�,適合用于高效率開關應用和功率管理領域。SIR402DP-T1-GE3 表示其封裝形式為 TO-252 (DPAK),并符合無鉛�(huán)保要��
此器件適用于消費電子、工�(yè)控制、通信設備等領域的負載開關、電機驅(qū)�、電源管理等應用�
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流�27A
導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型�,于 Vgs=10V 時)
柵極電荷�36nC(典型值)
反向恢復時間�28ns(典型值)
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
是否無鉛:是
SIR402DP 使用先進的 TrenchFET Gen III 技�(shù),大幅降低了導通電阻和開關損耗�
其超低的 Rds(on) 值能夠顯著提高系�(tǒng)效率,尤其在大電流應用中表現(xiàn)�(yōu)��
該晶體管具備快速開關能�,支持高頻運行環(huán)境下的高效能量轉(zhuǎn)��
SIR402DP 具有較高的漏源電壓耐受能力,同時兼容廣泛的輸入電壓范圍�
器件的工作溫度范圍寬�,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
SIR402DP 廣泛應用于各種需要高效功率管理的場景,包括但不限于關電源 (SMPS) 中的同步整流�
2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�
3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關
4. 工業(yè)設備中的電機�(qū)動與控制
5. 通信基站中的功率分配與保護電�
6. 消費類電子產(chǎn)品中的充電器及適配器設計
7. 太陽能逆變器及其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�
SIR404DP, IRFZ44N, FDP5500