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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SIR402DP-T1-GE3

SIR402DP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 10:17:22 查看 閱讀�33

SIR402DP 是一款來� Vishay � N 灃道晶體�,采� TrenchFET Gen III 技�(shù)制�。該晶體管具有極低的導通電阻(Rds(on)�,適合用于高效率開關應用和功率管理領域。SIR402DP-T1-GE3 表示其封裝形式為 TO-252 (DPAK),并符合無鉛�(huán)保要��
  此器件適用于消費電子、工�(yè)控制、通信設備等領域的負載開關、電機驅(qū)�、電源管理等應用�

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  連續(xù)漏極電流�27A
  導通電阻(Rds(on)):2.5mΩ(典型�,于 Vgs=10V 時)
  柵極電荷�36nC(典型值)
  反向恢復時間�28ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  是否無鉛:是

特�

SIR402DP 使用先進的 TrenchFET Gen III 技�(shù),大幅降低了導通電阻和開關損耗�
  其超低的 Rds(on) 值能夠顯著提高系�(tǒng)效率,尤其在大電流應用中表現(xiàn)�(yōu)��
  該晶體管具備快速開關能�,支持高頻運行環(huán)境下的高效能量轉(zhuǎn)��
  SIR402DP 具有較高的漏源電壓耐受能力,同時兼容廣泛的輸入電壓范圍�
  器件的工作溫度范圍寬�,能夠在惡劣�(huán)境下保持�(wěn)定性能�

應用

SIR402DP 廣泛應用于各種需要高效功率管理的場景,包括但不限于關電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. DC/DC �(zhuǎn)換器中的高端或低端開�
  3. 電池管理系統(tǒng)中的負載開關
  4. 工業(yè)設備中的電機�(qū)動與控制
  5. 通信基站中的功率分配與保護電�
  6. 消費類電子產(chǎn)品中的充電器及適配器設計
  7. 太陽能逆變器及其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模�

替代型號

SIR404DP, IRFZ44N, FDP5500

sir402dp-t1-ge3推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
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sir402dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點標準�
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C35A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs42nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1700pF @ 15V
  • 功率 - 最�36W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應商設備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIR402DP-T1-GE3TR