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SIR422DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2023/6/7 10:56:21 查看 閱讀：388

制造商：Vishay

目錄

概述

制造商：Vishay

RoHS：是

配置：Single

晶體管極性：N-Channel

封裝/箱體：PowerPAKSO-8

電阻汲極/源極RDS（導(dǎo)通）：0.0054Ohms

汲極/源極擊穿電壓：40V

漏極連續(xù)電流：16.4A,20.5A,40A

功率耗散：34.7W

最大工作溫度：+150℃

封裝：Reel

正向跨導(dǎo)gFS（最大值/最小值）：70S

柵極電荷Qg：16.1nC

最小工作溫度：-55℃

安裝風(fēng)格：SMD/SMT

資料

廠商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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sir422dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C6.6 毫歐 @ 20A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1785pF @ 20V
  • 功率 - 最大34.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIR422DP-T1-GE3-NDSIR422DP-T1-GE3TR