時間：2025/5/22 1:15:04
閱讀：7
SIR422DP是來自Infineon（英飛凌）的一款N溝道增強型MOSFET晶體管，采用TO-263-2封裝形式。該器件廣泛應用于開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載切換等應用中。由于其低導通電阻和高效率的特點，SIR422DP在各種功率管理場景下表現(xiàn)優(yōu)異。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：15A
導通電阻：18mΩ
總耗散功率（Tc=25°C）：170W
工作結(jié)溫范圍：-55°C至+150°C
SIR422DP是一款專為高效功率轉(zhuǎn)換設計的MOSFET，具有以下特點：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），能夠在高電流應用中減少功耗。
2. 高雪崩能量能力，增強了器件在異常情況下的魯棒性。
3. 快速開關速度，有助于降低開關損耗并提高系統(tǒng)效率。
4. 符合RoHS標準，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求。
5. 封裝形式穩(wěn)固耐用，適合自動化生產(chǎn)和惡劣環(huán)境應用。
SIR422DP適用于多種功率轉(zhuǎn)換和控制領域，典型應用包括：
1. 開關模式電源（SMPS）中的主開關或同步整流元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的高頻開關元件。
3. 電機驅(qū)動電路中的功率級開關。
4. 各種負載切換和保護電路。
5. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊。
IRLZ44N
AO3400
FDP5802
