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SIR426DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 0:37:36 查看 閱讀:19

SIR426DP-T1-GE3 是一款基于 Vishay Siliconix 品牌的 N 溝道功率 MOSFET,采用 PowerPAK SO-8 封裝。該器件專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì),具有非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),可有效減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)性能。
  這種 MOSFET 常用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及負(fù)載切換等應(yīng)用場景中。其出色的電氣特性和可靠性使其成為眾多工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:5.7A
  導(dǎo)通電阻:3.5mΩ(典型值,條件為 Vgs=10V)
  柵極電荷:18nC(典型值)
  反向恢復(fù)時(shí)間:30ns(典型值)
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝類型:PowerPAK SO-8

特性

SIR426DP-T1-GE3 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on)),在各種工作條件下均能保持高效性能。
  2. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件的魯棒性以應(yīng)對(duì)異常情況。
  3. 快速開關(guān)速度,有助于降低開關(guān)損耗。
  4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),并支持無鉛焊接工藝。
  5. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)多種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求。
  6. 出色的熱性能表現(xiàn),能夠更好地管理器件內(nèi)部熱量分布。
  這些特點(diǎn)使 SIR426DP 成為高功率密度設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元件。

應(yīng)用

SIR426DP-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 各種類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,例如步進(jìn)電機(jī)、直流無刷電機(jī)控制。
  3. 計(jì)算機(jī)及其外設(shè)中的負(fù)載開關(guān)與保護(hù)電路。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制。
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電路徑管理。
  6. 可再生能源系統(tǒng)的逆變器和轉(zhuǎn)換器組件。
  這款 MOSFET 的高性能和靈活性使其非常適合需要高效率和可靠性的現(xiàn)代電子產(chǎn)品。

替代型號(hào)

SIR426DP, IRF7410, AO4402

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sir426dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C30A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫歐 @ 15A,10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs31nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1160pF @ 20V
  • 功率 - 最大41.7W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱Q5396740TGSIR426DP-T1-GE3-NDSIR426DP-T1-GE3TRT1317218