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時(shí)間：2025/5/29 0:37:36
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SIR426DP-T1-GE3 是一款基于 Vishay Siliconix 品牌的 N 溝道功率 MOSFET，采用 PowerPAK SO-8 封裝。該器件專為高效率和低功耗應(yīng)用設(shè)計(jì)，具有非常低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可有效減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)性能。
這種 MOSFET 常用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及負(fù)載切換等應(yīng)用場景中。其出色的電氣特性和可靠性使其成為眾多工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：5.7A
導(dǎo)通電阻：3.5mΩ（典型值，條件為 Vgs=10V）
柵極電荷：18nC（典型值）
反向恢復(fù)時(shí)間：30ns（典型值）
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝類型：PowerPAK SO-8
SIR426DP-T1-GE3 具有以下顯著特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，在各種工作條件下均能保持高效性能。
2. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件的魯棒性以應(yīng)對(duì)異常情況。
3. 快速開關(guān)速度，有助于降低開關(guān)損耗。
4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，并支持無鉛焊接工藝。
5. 工作溫度范圍寬廣，適應(yīng)多種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用需求。
6. 出色的熱性能表現(xiàn)，能夠更好地管理器件內(nèi)部熱量分布。
這些特點(diǎn)使 SIR426DP 成為高功率密度設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元件。
SIR426DP-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)，包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 各種類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，例如步進(jìn)電機(jī)、直流無刷電機(jī)控制。
3. 計(jì)算機(jī)及其外設(shè)中的負(fù)載開關(guān)與保護(hù)電路。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率級(jí)控制。
5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電路徑管理。
6. 可再生能源系統(tǒng)的逆變器和轉(zhuǎn)換器組件。
這款 MOSFET 的高性能和靈活性使其非常適合需要高效率和可靠性的現(xiàn)代電子產(chǎn)品。
SIR426DP, IRF7410, AO4402
