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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIR436DP-T1-GE3

SIR436DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 15:06:12 查看 閱讀�11

SIR436DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),旨在提供卓越的�(dǎo)通電阻性能和高效的�(kāi)�(guān)特�。其�(shè)�(jì)適用于需要低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池供電�(shè)備等。此 MOSFET 的封裝形式為 PowerPAK? 1212-8,具有出色的散熱性能和緊湊的尺寸�
  該型�(hào)特別適合用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少熱損��

參數(shù)

最大漏源電壓:40V
  最大連續(xù)漏極電流�18A
  最大柵極源極電壓:±20V
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ @ Vgs=10V
  柵極電荷�17nC
  輸入電容�920pF
  總功耗:35W
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

SIR436DP-T1-GE3 基于 Vishay 的先�(jìn) TrenchFET 技�(shù)制�,具備以下關(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),確保在高電流應(yīng)用中的低損耗表�(xiàn)�
  2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,得益于�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)�
  3. 緊湊� PowerPAK? 1212-8 封裝,有助于節(jié)省電路板空間�
  4. 出色的熱性能,使器件能夠在嚴(yán)苛的工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
  5. 寬泛的工作溫度范�,使其適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保要��

�(yīng)�

SIR436DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 便攜式電子產(chǎn)品中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 和同步整流電路�
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)控制�
  4. 通信�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的信號(hào)處理和驅(qū)�(dòng)模塊�
  6. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和能量管理電��
  其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使得該 MOSFET 成為眾多高性能�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

SIR436DP, SIR436DN, SiR436DP-T1

sir436dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 詢價(jià)

sir436dp-t1-ge3資料 更多>

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sir436dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫歐 @ 20A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs47nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1715pF @ 15V
  • 功率 - 最�50W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIR436DP-T1-GE3-NDSIR436DP-T1-GE3TR