SIR436DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技�(shù),旨在提供卓越的�(dǎo)通電阻性能和高效的�(kāi)�(guān)特�。其�(shè)�(jì)適用于需要低�(dǎo)通損耗的�(yīng)用場(chǎng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及電池供電�(shè)備等。此 MOSFET 的封裝形式為 PowerPAK? 1212-8,具有出色的散熱性能和緊湊的尺寸�
該型�(hào)特別適合用于高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用中,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并減少熱損��
最大漏源電壓:40V
最大連續(xù)漏極電流�18A
最大柵極源極電壓:±20V
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):3.5mΩ @ Vgs=10V
柵極電荷�17nC
輸入電容�920pF
總功耗:35W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SIR436DP-T1-GE3 基于 Vishay 的先�(jìn) TrenchFET 技�(shù)制�,具備以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),確保在高電流應(yīng)用中的低損耗表�(xiàn)�
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,得益于�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)�
3. 緊湊� PowerPAK? 1212-8 封裝,有助于節(jié)省電路板空間�
4. 出色的熱性能,使器件能夠在嚴(yán)苛的工作條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
5. 寬泛的工作溫度范�,使其適用于各種工業(yè)和消�(fèi)類電子應(yīng)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保要��
SIR436DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 便攜式電子產(chǎn)品中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 和同步整流電路�
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)控制�
4. 通信�(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化系�(tǒng)中的信號(hào)處理和驅(qū)�(dòng)模塊�
6. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)和能量管理電��
其優(yōu)異的電氣特性和可靠性使得該 MOSFET 成為眾多高性能�(yīng)用的理想選擇�
SIR436DP, SIR436DN, SiR436DP-T1