SIR472DP-T1-GE3 是一款基于硅技�(shù)� N 溝道增強� MOSFET,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該器件采用 TOLL 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點,適用于各種功率�(zhuǎn)換場�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器和電機�(qū)動等�
最大漏源電壓:650 V
連續(xù)漏極電流�47 A
�(dǎo)通電阻:35 mΩ
柵極電荷�95 nC
開關(guān)速度:超快恢�(fù)
工作溫度范圍�-55 � � 175 �
SIR472DP-T1-GE3 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定電壓(650V�,確保在高壓�(huán)境下具備良好的可靠性�
3. 快速開�(guān)性能,減少開�(guān)損耗,特別適合高頻開關(guān)�(yīng)��
4. 緊湊� TOLL 封裝,有助于簡化 PCB �(shè)計并節(jié)省空��
5. 出色的熱�(wěn)定性,在極端溫度條件下仍能保持�(wěn)定性能�
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
SIR472DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)電源和服�(wù)器電源中� DC-DC �(zhuǎn)��
2. 太陽能逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)��
4. 高效照明系統(tǒng)的電子鎮(zhèn)流器�
5. 電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)及牽引逆變��
SIR472DP, IRGB4062DPBF, FGH47N65SMD