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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SIR626ADP-T1-RE3

SIR626ADP-T1-RE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/10 15:44:04 查看 閱讀�26

SIR626ADP-T1-RE3 是一款基� MOSFET 技�(shù)的超低導(dǎo)通電阻同步整流肖特基二極管。該器件專為高頻開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及便攜式電子設(shè)備中的高效整流應(yīng)用而設(shè)�(jì)。其采用了先�(jìn)的封裝技�(shù),具備較低的正向壓降和快速的反向恢復(fù)�(shí)�,從而顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
  該器件具有高可靠�、優(yōu)良的熱性能和出色的浪涌電流能力,非常適合要求苛刻的電源管理�(chǎng)��

參數(shù)

最大正向電壓:40V
  最大反向恢�(fù)�(shí)間:40ns
  正向電流(IF):26A
  正向電壓(VF):0.19V @ 26A
  �(jié)電容(Cj):150pF
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

SIR626ADP-T1-RE3 的主要特�(diǎn)是其超低的正向壓�,這使得它在大電流�(yīng)用中表現(xiàn)出色。此�,其快速的反向恢復(fù)�(shí)間確保了在高頻開�(guān)條件下減少開�(guān)損��
  這款器件還具備以下優(yōu)�(shì)�
  - 高效的能量轉(zhuǎn)換,適用于綠色能源解決方�
  - 小型化封�,節(jié)省PCB空間
  - 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和抗浪涌電流能�
  - 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠
  這些特點(diǎn)使其成為�(xiàn)代功率轉(zhuǎn)換電路的理想選擇�

�(yīng)�

SIR626ADP-T1-RE3 廣泛�(yīng)用于各種需要高效整流的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  - 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的次級(jí)整流
  - DC-DC �(zhuǎn)換器
  - 電池充電�
  - 工業(yè)自動(dòng)化及通信�(shè)備中的電源模�
  - 汽車電子系統(tǒng)中的高頻整流
  由于其高性能表現(xiàn),該二極管特別適合于�(duì)能效和熱性能有嚴(yán)格要求的�(yīng)用環(huán)��

替代型號(hào)

SIR626ADP-T1-E3, SIR62ADP, SR626ADP

sir626adp-t1-re3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sir626adp-t1-re3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�26,337�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �16.38000剪切帶(CT�3,000 : �7.50063卷帶(TR�
  • 系列TrenchFET? Gen IV
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)40.4A(Ta),165A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�6V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)1.75 毫歐 @ 20A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)3.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)83 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)3770 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)6.25W(Ta��104W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? SO-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8