SIR836DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用小型的 SOT-23 封裝形式。該器件適用于低電壓、低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)景,具有出色的開�(guān)性能和較低的�(dǎo)通損�。由于其封裝體積小且性能�(yōu)�,廣泛用于消�(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域中的電源管理電��
最大漏源電壓:30V
最大柵極驅(qū)�(dòng)電壓:�20V
連續(xù)漏極電流�4.2A
�(dǎo)通電阻(典型值)�7.5mΩ
總功耗:980mW
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝形式:SOT-23
SIR836DP-T1-GE3 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,� 4.5V 柵極�(qū)�(dòng)電壓下僅� 7.5mΩ,能夠顯著降低功率損��
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高浪涌能�,能夠承受瞬�(shí)大電流沖��
4. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板中使��
5. 靜電防護(hù)能力�(qiáng),符合工�(yè)�(jí)�(biāo)�(zhǔn)�
6. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
SIR836DP-T1-GE3 常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流電路�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
5. 各種便攜式設(shè)備中的電源管理模��
6. 工業(yè)控制系統(tǒng)中的信號(hào)切換和保�(hù)電路�
SIR836DPTR-E3,SIR836DPN-E3