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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 11:14:00 查看 閱讀�34

SIR836DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生產(chǎn)� N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET,采用小型的 SOT-23 封裝形式。該器件適用于低電壓、低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)景,具有出色的開�(guān)性能和較低的�(dǎo)通損�。由于其封裝體積小且性能�(yōu)�,廣泛用于消�(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域中的電源管理電��

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大柵極驅(qū)�(dòng)電壓:�20V
  連續(xù)漏極電流�4.2A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�7.5mΩ
  總功耗:980mW
  工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
  封裝形式:SOT-23

特�

SIR836DP-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,� 4.5V 柵極�(qū)�(dòng)電壓下僅� 7.5mΩ,能夠顯著降低功率損��
  2. 快速開�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 高浪涌能�,能夠承受瞬�(shí)大電流沖��
  4. 小型化封裝設(shè)�(jì),便于在緊湊型電路板中使��
  5. 靜電防護(hù)能力�(qiáng),符合工�(yè)�(jí)�(biāo)�(zhǔn)�
  6. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�

�(yīng)�

SIR836DP-T1-GE3 常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的同步整流電路�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  3. 電池供電�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)�
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  5. 各種便攜式設(shè)備中的電源管理模��
  6. 工業(yè)控制系統(tǒng)中的信號(hào)切換和保�(hù)電路�

替代型號(hào)

SIR836DPTR-E3,SIR836DPN-E3

sir836dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sir836dp-t1-ge3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
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sir836dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C21A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C19 毫歐 @ 10A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs18nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds600pF @ 20V
  • 功率 - 最�15.6W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIR836DP-T1-GE3TR