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SIRA12DP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/4/27 14:01:47 查看 閱讀:38

SIRA12DP-T1-GE3 是一款基于硅材料的瞬態(tài)電壓抑制二極管(TVS二極管),設(shè)計用于保護(hù)電子電路免受瞬態(tài)過電壓的影響,例如靜電放電(ESD)、雷擊浪涌和負(fù)載突降等。它屬于 Littelfuse 公司的 SIRA 系列 TVS 二極管陣列產(chǎn)品線,采用雙向保護(hù)配置,適用于電信、數(shù)據(jù)通信和工業(yè)設(shè)備中的信號線路保護(hù)。
  該器件具有快速響應(yīng)時間、低電容以及出色的 ESD 抑制能力,使其非常適合高速數(shù)據(jù)線和接口電路的保護(hù)應(yīng)用。

參數(shù)

工作電壓:12V
  峰值脈沖電流:67A
  最大反向工作電壓:12.8V
  擊穿電壓:14.1V
  箝位電壓:25.9V
  結(jié)電容:10pF
  響應(yīng)時間:1ps
  封裝類型:DO-214AC (SMAJ)

特性

SIRA12DP-T1-GE3 提供高效的瞬態(tài)電壓抑制功能,其雙向保護(hù)設(shè)計確保了對正負(fù)瞬態(tài)電壓的全面防護(hù)。它的超低電容值使得其適合于高速信號線路的應(yīng)用,不會顯著影響信號完整性。此外,該器件還具備以下特點(diǎn):
  1. 快速響應(yīng)時間:能夠在皮秒級別內(nèi)響應(yīng)瞬態(tài)事件,從而有效保護(hù)下游敏感元件。
  2. 高度可靠的性能:符合 IEC 61000-4-2 標(biāo)準(zhǔn),能夠承受高達(dá) ±30kV 的接觸放電和 ±30kV 的空氣放電。
  3. 小型化封裝:DO-214AC 封裝形式節(jié)省空間,便于在緊湊型設(shè)計中使用。
  4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):環(huán)保無鉛設(shè)計,滿足現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的需求。

應(yīng)用

SIRA12DP-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于需要高性能瞬態(tài)電壓抑制的各種場景,包括但不限于:
  1. 數(shù)據(jù)通信端口保護(hù),如 USB、HDMI 和 DisplayPort 等高速接口。
  2. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號線路保護(hù)。
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的 CAN 總線和 LIN 總線保護(hù)。
  4. 電信設(shè)備中的射頻信號線路防護(hù)。
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的音頻/視頻接口防護(hù)。

替代型號

SMBJ12CA, PESD12QA, SMSP12A

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sira12dp-t1-ge3參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 單
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.3 毫歐 @ 10A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2070pF @ 15V
  • 功率 - 最大31W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIRA12DP-T1-GE3TR