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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SIRA12DP-T1-GE3

SIRA12DP-T1-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/4/27 14:01:47 查看 閱讀�38

SIRA12DP-T1-GE3 是一款基于硅材料的瞬�(tài)電壓抑制二極管(TVS二極管),設(shè)計用于保�(hù)電子電路免受瞬態(tài)過電壓的影響,例如靜電放電(ESD)、雷擊浪涌和�(fù)載突降等。它屬于 Littelfuse 公司� SIRA 系列 TVS 二極管陣列產(chǎn)品線,采用雙向保�(hù)配置,適用于電信、數(shù)�(jù)通信和工�(yè)�(shè)備中的信號線路保�(hù)�
  該器件具有快速響�(yīng)時間、低電容以及出色� ESD 抑制能力,使其非常適合高速數(shù)�(jù)線和接口電路的保�(hù)�(yīng)��

參數(shù)

工作電壓�12V
  峰值脈沖電流:67A
  最大反向工作電壓:12.8V
  擊穿電壓�14.1V
  箝位電壓�25.9V
  �(jié)電容�10pF
  響應(yīng)時間�1ps
  封裝類型:DO-214AC (SMAJ)

特�

SIRA12DP-T1-GE3 提供高效的瞬�(tài)電壓抑制功能,其雙向保護(hù)�(shè)計確保了對正�(fù)瞬態(tài)電壓的全面防�(hù)。它的超低電容值使得其適合于高速信號線路的�(yīng)�,不會顯著影響信號完整�。此�,該器件還具備以下特�(diǎn)�
  1. 快速響�(yīng)時間:能夠在皮秒級別�(nèi)響應(yīng)瞬態(tài)事件,從而有效保�(hù)下游敏感元件�
  2. 高度可靠的性能:符� IEC 61000-4-2 �(biāo)�(zhǔn),能夠承受高�(dá) ±30kV 的接觸放電和 ±30kV 的空氣放��
  3. 小型化封裝:DO-214AC 封裝形式節(jié)省空間,便于在緊湊型�(shè)計中使用�
  4. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保無鉛設(shè)�,滿足現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的需��

�(yīng)�

SIRA12DP-T1-GE3 廣泛�(yīng)用于需要高性能瞬態(tài)電壓抑制的各種場景,包括但不限于�
  1. �(shù)�(jù)通信端口保護(hù),如 USB、HDMI � DisplayPort 等高速接��
  2. 工業(yè)自動化設(shè)備中的信號線路保�(hù)�
  3. 汽車電子系統(tǒng)中的 CAN 總線� LIN 總線保護(hù)�
  4. 電信�(shè)備中的射頻信號線路防�(hù)�
  5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的音�/視頻接口防護(hù)�

替代型號

SMBJ12CA, PESD12QA, SMSP12A

sira12dp-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sira12dp-t1-ge3資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
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sira12dp-t1-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C25A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.3 毫歐 @ 10A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2070pF @ 15V
  • 功率 - 最�31W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼PowerPAK? SO-8
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PowerPAK? SO-8
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SIRA12DP-T1-GE3TR