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SIS436DN 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/10 14:36:49 查看 閱讀:21

SIS436DN是一款高性能、低功耗的CMOS運(yùn)算放大器,適用于各種需要高精度和穩(wěn)定性的模擬信號(hào)處理場(chǎng)景。該芯片具有較寬的工作電壓范圍以及優(yōu)秀的增益帶寬積特性,使其在音頻設(shè)備、傳感器信號(hào)調(diào)理以及工業(yè)控制等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。
  該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,在保證性能的同時(shí)兼顧了成本效益。其單電源供電能力進(jìn)一步簡化了電路設(shè)計(jì),適合便攜式設(shè)備和其他對(duì)電源管理要求較高的應(yīng)用。

參數(shù)

工作電壓:2.7V~5.5V
  輸入偏置電流:1pA(典型值)
  開環(huán)增益:10^6
  單位增益帶寬:10MHz
  壓擺率:5V/μs
  電源電流:2mA(典型值)
  共模抑制比:100dB
  差分輸入電壓范圍:±0.1V
  封裝形式:SOT-23

特性

SIS436DN的主要特性包括:
  1. 極低的輸入偏置電流,適合高阻抗源的應(yīng)用場(chǎng)景。
  2. 較高的單位增益帶寬和快速的壓擺率,確保在高頻應(yīng)用中仍能保持良好的動(dòng)態(tài)性能。
  3. 單電源工作模式支持,極大地簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了整體功耗。
  4. 寬工作電壓范圍,適應(yīng)不同應(yīng)用場(chǎng)景下的電源需求。
  5. 小型化的SOT-23封裝,節(jié)省PCB空間,特別適合于緊湊型設(shè)計(jì)。
  6. 出色的共模抑制比,可有效降低噪聲干擾,提升信號(hào)處理的精確度。
  這些特點(diǎn)使得SIS436DN成為眾多精密模擬信號(hào)處理應(yīng)用的理想選擇。

應(yīng)用

SIS436DN可以應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 音頻信號(hào)放大與處理,如耳機(jī)放大器、音響設(shè)備中的前置放大器。
  2. 工業(yè)自動(dòng)化中的傳感器信號(hào)調(diào)理,例如溫度、壓力或位移傳感器的信號(hào)放大。
  3. 數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的前端放大,用于提高ADC的輸入信號(hào)質(zhì)量。
  4. 醫(yī)療電子設(shè)備中的生理信號(hào)放大,如心電圖機(jī)或血壓監(jiān)測(cè)儀。
  5. 通信設(shè)備中的小信號(hào)放大及濾波。
  由于其低功耗和高精度特性,SIS436DN尤其適合便攜式電子設(shè)備以及其他對(duì)能耗敏感的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

OPA436DN, LMV36DN

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