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SISH108DN-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/7 21:28:41 查看 閱讀：30

SISH108DN-T1-GE3 是一款來(lái)自 Vishay 的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET 第三代技術(shù)，具有出色的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)性能，適用于需要高效能功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。它采用了 TO-263 (DPAK) 封裝形式，具備良好的散熱特性和緊湊設(shè)計(jì)，適合多種工業(yè)和消費(fèi)類(lèi)電子應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：40V
　　連續(xù)漏極電流：9.7A
　　導(dǎo)通電阻：2.5mΩ
　　柵極電荷：22nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：典型值 t_on=12ns，t_off=25ns
　　工作結(jié)溫范圍：-55°C 至 +175°C

特性

SISH108DN-T1-GE3 使用 Vishay 的先進(jìn) TrenchFET 技術(shù)制造，能夠在低電壓應(yīng)用中提供非常低的導(dǎo)通電阻，從而降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　該器件還具有較低的柵極電荷和輸出電荷，有助于實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗。
　　其封裝形式（TO-263）提供了優(yōu)異的熱性能，并且便于表面貼裝工藝中的使用。
　　SISH108DN-T1-GE3 在高頻率操作下的表現(xiàn)尤為突出，非常適合 DC/DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及電池供電設(shè)備等應(yīng)用領(lǐng)域。

應(yīng)用

這款 MOSFET 主要用于需要高效功率管理的場(chǎng)合，包括但不限于以下應(yīng)用：
　　- 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)
　　- DC/DC 轉(zhuǎn)換器
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
　　- 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載切換
　　- 工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的功率控制
　　- LED 照明驅(qū)動(dòng)電路

替代型號(hào)

SIPH108DN-T1-GE3, SIH108DN-E3, IRF7745PBF

sish108dn-t1-ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sish108dn-t1-ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量6,000現(xiàn)貨
  • 價(jià)格1 : ￥5.64000剪切帶（CT）3,000 : ￥2.17867卷帶（TR）
  • 系列TrenchFET? Gen II
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類(lèi)型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）20 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)14A（Ta）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）4.9 毫歐 @ 22A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）30 nC @ 4.5 V
  • Vgs（最大值）±16V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）-
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）1.5W（Ta）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝PowerPAK? 1212-8SH
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8SH