SLD15N10T是一種N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。該器件主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載切換等領(lǐng)�。其�(shè)計優(yōu)化了導通電阻與開關(guān)性能,能夠在高頻�(yīng)用中提供高效的功率轉(zhuǎn)��
SLD15N10T采用TO-263封裝形式,具有較高的電流處理能力和良好的散熱特�,適合于需要高效率和低功耗的電路�(shè)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�15A
柵極電荷�35nC
導通電阻:0.09Ω
總功耗:17W
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
1. 低導通電阻設(shè)計,有助于減少傳導損耗并提高整體效率�
2. 快速開�(guān)速度,適合高頻開�(guān)�(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,增強了器件的魯棒��
4. 具備ESD保護功能,提高了器件在實際應(yīng)用中的可靠��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且適用于現(xiàn)代電子設(shè)備制造要��
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)或同步整流元��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的高端或低端開�(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級元件�
4. 各類負載切換和保護電��
5. 工業(yè)控制�(lǐng)域中的功率管理模��
IRFZ44N, STP16NM60, FDP15N10