SLD8N65SV是一款高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適合于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(yīng)用場�。其額定電壓�650V,能夠承受較高的漏源電壓,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
最大漏源電�(Vds)�650V
連續(xù)漏極電流(Id)�8A
柵極-源極電壓(Vgs):�20V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.4Ω(典型值,Vgs=10V�
總功�(Ptot)�30W
�(jié)溫范�(Tj)�-55°C�+175°C
輸入電容(Ciss)�1390pF
輸出電容(Coss)�105pF
反向恢復(fù)時間(trr)�35ns
SLD8N65SV具備出色的開�(guān)性能和耐用�,主要特性包括:
1. 高耐壓能力�650V額定電壓可應(yīng)對各種高壓應(yīng)用�
2. 低導(dǎo)通電阻:Rds(on)僅為1.4Ω,有助于降低�(dǎo)通損��
3. 快速開�(guān)速度:短反向恢復(fù)時間和低Coss值,減少開關(guān)損��
4. 高溫�(wěn)定性:支持高達(dá)175°C的結(jié)溫,適應(yīng)高溫工作�(huán)��
5. 堅固�(shè)計:具有良好的抗雪崩能力和過載保�(hù)功能�
6. 小型封裝:通常采用TO-220或DPAK封裝,節(jié)省電路板空間�
這些特點(diǎn)使SLD8N65SV成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
SLD8N65SV適用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):如AC-DC適配器、LED�(qū)動電源等�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:用于汽車電子、工�(yè)�(shè)備等�(lǐng)��
3. 電機(jī)�(qū)動:控制小型直流或無刷電�(jī)的運(yùn)��
4. PFC電路:提高功率因�(shù),滿足能效標(biāo)�(zhǔn)�
5. 充電器和逆變器:提供高效的電能轉(zhuǎn)換�
由于其高壓和高性能特點(diǎn),SLD8N65SV特別適合需要高可靠性和高效率的電力電子系統(tǒng)�
SLD8N65S, SLD8N65S3, FDP8880, IRF840