SM04B-GHS-TB是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等需要高效能和低功耗的場景。該器件采用先進的溝槽式結構設�,具有較低的導通電阻和較高的電流承載能�,從而有效提升了整體系統(tǒng)的效率�
這款MOSFET屬于N溝道增強�,通過�(yōu)化的封裝技�,能夠更好地散發(fā)熱量,確保在高負載條件下的穩(wěn)定�。其工作電壓范圍寬廣,適合多種工�(yè)和消費類電子應用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�85nC
開關速度:超快�
封裝形式:TO-247
SM04B-GHS-TB具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可以顯著降低功率損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高效的散熱性能,得益于�(yōu)化的封裝設計,使器件能夠在高溫環(huán)境下保持�(wěn)定運行�
3. 快速的開關速度減少了開關損�,適用于高頻開關應用�
4. 強大的過流保護能�,增強了器件的可靠��
5. 兼容性強,易于集成到各種電路設計��
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動與控�
4. 工業(yè)自動化設�
5. 汽車電子系統(tǒng)
6. LED照明驅動
7. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
IRFZ44N
FDP5570
STP36NF06L