SMA2EZ18D5是一款高性能的雙通道功率放大器模塊,主要應(yīng)用于無(wú)線通信領(lǐng)域。該模塊采用了先進(jìn)的GaAs(砷化鎵)工藝制造,具備高增益、寬帶寬和低失真的特點(diǎn)。SMA2EZ18D5適合在高頻環(huán)境下工作,如射頻識(shí)別(RFID)、無(wú)線數(shù)據(jù)傳輸以及測(cè)試測(cè)量設(shè)備等場(chǎng)景。
這款芯片內(nèi)部集成了匹配網(wǎng)絡(luò)和其他必要的電路結(jié)構(gòu),減少了外部元件的需求,從而簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)流程并提高了系統(tǒng)的可靠性。
型號(hào):SMA2EZ18D5
工藝:GaAs HBT
頻率范圍:30 MHz 至 3 GHz
增益:18 dB 典型值
輸出功率(P1dB):+26 dBm 最小值
效率:40% 典型值
電源電壓:5 V
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
封裝形式:表貼封裝
SMA2EZ18D5具有以下顯著特點(diǎn):
1. 高線性度,適用于對(duì)信號(hào)保真度要求較高的應(yīng)用環(huán)境。
2. 內(nèi)置偏置電路,確保穩(wěn)定的工作狀態(tài),無(wú)需復(fù)雜的外部調(diào)節(jié)。
3. 寬帶操作能力,支持多種無(wú)線通信標(biāo)準(zhǔn)下的高效運(yùn)行。
4. 緊湊的設(shè)計(jì),減少PCB面積占用,便于小型化產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。
5. 良好的熱性能表現(xiàn),即使在較高負(fù)載條件下也能保持穩(wěn)定。
SMA2EZ18D5廣泛應(yīng)用于各種需要高性能射頻放大的場(chǎng)合,包括但不限于:
1. RFID讀寫(xiě)器
2. 無(wú)線傳感器網(wǎng)絡(luò)
3. 數(shù)據(jù)鏈路通信設(shè)備
4. 測(cè)試與測(cè)量?jī)x器中的射頻信號(hào)源
5. 小型蜂窩基站及中繼器
由于其出色的性能,這款芯片特別適合用于對(duì)帶寬和輸出功率都有較高需求的應(yīng)用場(chǎng)景。
SMA2EZ18D6
SMA2EZ20D5