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SMK325B7473MN-T 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 14:13:06 查看 閱讀：14

SMK325B7473MN-T 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 系列。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于多種高效率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
　　該芯片主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低功耗。

參數(shù)

最大漏源電壓：70V
　　連續(xù)漏極電流：80A
　　導(dǎo)通電阻：3.5mΩ
　　柵極電荷：110nC
　　開關(guān)速度：超快
　　封裝形式：TO-247

特性

SMK325B7473MN-T 的核心優(yōu)勢(shì)在于其低導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能。該器件在高電流條件下表現(xiàn)出極低的功率損耗，并且具備出色的熱穩(wěn)定性，能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定的性能。
　　此外，該芯片內(nèi)置了過(guò)流保護(hù)和過(guò)溫保護(hù)功能，從而提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
　　其快速的開關(guān)速度有助于減少開關(guān)損耗，特別適合高頻開關(guān)應(yīng)用場(chǎng)合。同時(shí)，較大的漏極電流承載能力使得該芯片在高功率密度的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

應(yīng)用

SMK325B7473MN-T 廣泛應(yīng)用于工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域中的多種場(chǎng)景，包括但不限于：
　　- 開關(guān)電源 (SMPS)
　　- 逆變器和 UPS 系統(tǒng)
　　- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)
　　- 電動(dòng)車牽引逆變器
　　- 高效負(fù)載開關(guān)
　　由于其高效能和高可靠性，該芯片非常適合需要高電流和高效率的電力電子應(yīng)用。

替代型號(hào)

SMK325B7460MN-T
　　IRF7473
　　FDP8870

smk325b7473mn-t推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

smk325b7473mn-t參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,000
  • 類別電容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列M
  • 電容0.047µF
  • 電壓 - 額定630V
  • 容差±20%
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 安裝類型表面貼裝，MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 應(yīng)用通用
  • 額定值-
  • 封裝/外殼1210（3225 公制）
  • 尺寸/尺寸0.126" L x 0.098" W（3.20mm x 2.50mm）
  • 高度 - 座高（最大）-
  • 厚度（最大）0.083"（2.10mm）
  • 引線間隔-
  • 特點(diǎn)高電壓
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線型-
  • 其它名稱CG SMK325 B7473MN-TSMK325BJ473MN-TSMK325BJ473MN-T-ND