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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SMUN5111DW1T1G

SMUN5111DW1T1G 發(fā)布時間 時間�2024/8/23 14:33:16 查看 閱讀�397

該系列數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)�(luò)。偏置電阻晶體管(BRT)包含一個具有由兩個電阻器組成的單片偏置網(wǎng)�(luò)的單個晶體管;串�(lián)基極電阻器和基極-�(fā)射極電阻器。BRT通過將這些單獨的組件集成到單個設(shè)備中來消除它�。使用快速公交系�(tǒng)可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間�

特征說明

?汽車和其他應(yīng)用的S和NSV前綴
  要求獨特的現(xiàn)場和控制變更要求
  AEC-Q101合格,PPAP能力
  ?簡化電路�(shè)�
  ?減少電路板空�
  ?減少組件�(shù)�
  ?這些�(shè)備不含鉛、不含鹵�/BFR,符合RoHS標準

技�(shù)參數(shù)

無鹵素狀�(tài):Halogen Free
  極性:PNP
  耗散功率�0.385 W
  擊穿電壓(集電�-�(fā)射極)�50 V
  集電極最大允許電流:100mA
  最小電流放大倍數(shù)(hFE)�35 5mA,10V
  額定功率(Max)�385 mW
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�385 mW

封裝參數(shù)

安裝方式:Surface Mount
  引腳�(shù)�
  封裝:SC-70-6

符合標準

RoHS標準:RoHS Compliant
  含鉛標準:Lead Free

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tape&Reel(TR)

smun5111dw1t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

smun5111dw1t1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭晶體�(BJT) - 陣列
  • 系列-
  • 晶體管類�2 PNP(雙�
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)50V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大)250mV @ 300nA�10mA
  • 電流 - 集電極截止(最大)500nA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增� (hFE)35 @ 5mA�10V
  • 功率 - 最�385mW
  • 頻率 - �(zhuǎn)�-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SC-88
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SMUN5111DW1T1G-NDSMUN5111DW1T1GOSTR