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SMUN5111DW1T1G 發(fā)布時間 時間：2024/8/23 14:33:16 查看 閱讀：397

該系列數(shù)字晶體管旨在取代單個器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管（BRT）包含一個具有由兩個電阻器組成的單片偏置網(wǎng)絡(luò)的單個晶體管；串聯(lián)基極電阻器和基極-發(fā)射極電阻器。BRT通過將這些單獨的組件集成到單個設(shè)備中來消除它們。使用快速公交系統(tǒng)可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。

特征說明

?汽車和其他應(yīng)用的S和NSV前綴
　　要求獨特的現(xiàn)場和控制變更要求
　　AEC-Q101合格，PPAP能力
　　?簡化電路設(shè)計
　　?減少電路板空間
　　?減少組件數(shù)量
　　?這些設(shè)備不含鉛、不含鹵素/BFR，符合RoHS標準

技術(shù)參數(shù)

無鹵素狀態(tài)：Halogen Free
　　極性：PNP
　　耗散功率：0.385 W
　　擊穿電壓(集電極-發(fā)射極)：50 V
　　集電極最大允許電流：100mA
　　最小電流放大倍數(shù)(hFE)：35 5mA,10V
　　額定功率(Max)：385 mW
　　工作溫度(Max)：150℃
　　工作溫度(Min)：-55℃
　　耗散功率(Max)：385 mW

封裝參數(shù)

安裝方式：Surface Mount
　　引腳數(shù)：6
　　封裝：SC-70-6

符合標準

RoHS標準：RoHS Compliant
　　含鉛標準：Lead Free

其他

產(chǎn)品生命周期：Active
　　包裝方式：Tape&Reel(TR)

smun5111dw1t1g推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

smun5111dw1t1g參數(shù)

  • 標準包裝3,000
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭晶體管(BJT) - 陣列
  • 系列-
  • 晶體管類型2 PNP（雙）
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）100mA
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）50V
  • Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）250mV @ 300nA，10mA
  • 電流 - 集電極截止（最大）500nA
  • 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE)35 @ 5mA，10V
  • 功率 - 最大385mW
  • 頻率 - 轉(zhuǎn)換-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝SC-88
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱SMUN5111DW1T1G-NDSMUN5111DW1T1GOSTR