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SN74LVTH16374-EP 發(fā)布時間 時間�2025/5/6 20:43:36 查看 閱讀�24

SN74LVTH16374-EP 是一款高性能的雙 8 位透明鎖存�,采用高級低電壓工藝制�。該器件具有高帶寬和低功耗特性,適用于需要高速數(shù)�(jù)傳輸和信號緩沖的�(yīng)用場�。它兼容多種邏輯電平,并提供增強型防護功能以滿足航天、軍工等對可靠性要求較高的�(lǐng)域的需��
  該芯片支持兩個獨立的 8 位輸入端口,每個端口通過單獨的鎖存使能(LE)控制信號來實現(xiàn)�(shù)�(jù)捕獲與存儲功�。其引腳布局�(shè)計緊�,適合多路復(fù)用或并行到串行轉(zhuǎn)換等�(fù)雜電路結(jié)�(gòu)�

參數(shù)

型號:SN74LVTH16374-EP
  工作電壓范圍�2.0V � 3.6V
  最大輸出電流:24mA(源/匯)
  傳播延遲時間�5ns(典型�,@ VCC=3.3V�
  工作溫度范圍�-55°C � +125°C
  封裝形式:TSSOP (PW) 封裝
  通道�(shù)量:� 8 位(� 16 位)
  輸入漏電流:±1μA(最大值,@ 25°C�
  靜態(tài)電流�4μA(最大�,@ VCC=3.3V, 所有輸入懸空)

特�

1. 高速性能:傳播延遲極低,能夠適應(yīng)高達 200MHz 的時鐘頻��
  2. 雙向�(shù)�(jù)流支持:可以分別控制兩組獨立� 8 位數(shù)�(jù)路徑�
  3. 低功耗設(shè)計:在睡眠模式下靜態(tài)電流幾乎為零,非常適合電池供電設(shè)��
  4. 寬工作電壓范圍:兼容多種主流邏輯電平�(biāo)準(� LVTTL � LVCMOS)�
  5. 增強型抗輻射能力:經(jīng)過特殊處理以�(yīng)對極端環(huán)境下的單粒子效應(yīng)問題�
  6. 工業(yè)級耐溫范圍:確保在極端條件下仍能保持穩(wěn)定運行狀�(tài)�

�(yīng)�

1. 高速通信接口中的�(shù)�(jù)緩沖�
  2. 多路�(fù)用器及解�(fù)用器的設(shè)��
  3. 并行到串行的�(shù)�(jù)�(zhuǎn)��
  4. �(shù)字信號隔離與�(qū)動放��
  5. 航天器、衛(wèi)星以及軍工設(shè)備中的關(guān)鍵邏輯單��
  6. �(yī)療儀器、工�(yè)自動化系�(tǒng)中的信號�(diào)理模��

替代型號

SN74LVTH16374AQWPG4,
  SN74LVTH16374DBVR,
  SN74LVTH16374DGKR

sn74lvth16374-ep推薦供應(yīng)� 更多>

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