時間：2025/4/27 16:22:52
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SNB5072C1ZNBR 是一款表面貼裝的功率 MOSFET 芯片，基于 N 溝道增強(qiáng)型技術(shù)。該器件采用 DPAK (TO-252) 封裝，適合高效率和高功率密度應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻特性使其成為電源管理、電機(jī)驅(qū)動以及負(fù)載開關(guān)等領(lǐng)域的理想選擇。
這款 MOSFET 的設(shè)計目標(biāo)是提供出色的性能表現(xiàn)，在高頻開關(guān)應(yīng)用中具有較低的開關(guān)損耗和較高的電流承載能力。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：42A
導(dǎo)通電阻（典型值）：2.5mΩ
柵極電荷：39nC
總電容：1850pF
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝類型：DPAK (TO-252)
SNB5072C1ZNBR 具有非常低的導(dǎo)通電阻，能夠顯著減少功率損耗，從而提升整體系統(tǒng)的效率。此外，它還具備快速的開關(guān)速度和優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，可以滿足嚴(yán)苛的工作環(huán)境需求。
該芯片采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，確保了良好的一致性和可靠性。在高溫環(huán)境下，依然能夠保持穩(wěn)定的電氣性能，非常適合需要長期運(yùn)行的工業(yè)和汽車應(yīng)用。
其卓越的散熱特性和堅固的結(jié)構(gòu)設(shè)計，進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的耐用性。同時，該器件符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于焊接與安裝。
該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源、電機(jī)控制電路以及電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域。
在 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中，SNB5072C1ZNBR 可以作為主開關(guān)管使用，憑借其低導(dǎo)通電阻降低功耗，提高轉(zhuǎn)換效率。
對于電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用，它可以精確地控制電機(jī)的啟動、停止及調(diào)速操作。同時，由于其出色的過流保護(hù)能力，也可以有效地防止短路或過載情況的發(fā)生。
此外，這款器件也適用于負(fù)載開關(guān)和配電系統(tǒng)中的功率路徑管理，為現(xiàn)代電子設(shè)備提供了可靠的電力傳輸解決方案。
SNB5072C1ZNB, IRF540N, FDP5020N
