時(shí)間：2025/4/27 9:59:57
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SNJ55325J 是一款高性能、低功耗的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有出色的開關(guān)特性和較低的導(dǎo)通電阻，適用于多種電源管理應(yīng)用場合。
其封裝形式為 TO-252（DPAK），適合表面貼裝，能夠有效節(jié)省電路板空間，并提供良好的散熱性能。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：4.1A
導(dǎo)通電阻：80mΩ
柵極電荷：10nC
工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
存儲溫度范圍：-65℃ 至 +175℃
SNJ55325J 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻，可減少功率損耗并提高效率。
2. 快速開關(guān)速度，有助于降低開關(guān)損耗。
3. 高雪崩能量能力，提升了器件的可靠性。
4. 較寬的工作溫度范圍，適應(yīng)各種環(huán)境條件。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保設(shè)計(jì)。
6. 提供優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和電氣性能。
該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)。
3. 電池保護(hù)電路。
4. 工業(yè)控制及汽車電子中的功率管理模塊。
5. LED 驅(qū)動(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。
IRF530N, FDN340P, BSS138
