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SNJ55325J 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 9:59:57 查看 閱讀�39

SNJ55325J 是一款高性能、低功耗的 N 溝道增強(qiáng)型功� MOSFET。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有出色的開�(guān)特性和較低的導(dǎo)通電�,適用于多種電源管理�(yīng)用場��
  其封裝形式為 TO-252(DPAK�,適合表面貼�,能夠有效節(jié)省電路板空間,并提供良好的散熱性能�

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�4.1A
  �(dǎo)通電阻:80mΩ
  柵極電荷�10nC
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  存儲溫度范圍�-65� � +175�

特�

SNJ55325J 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可減少功率損耗并提高效率�
  2. 快速開�(guān)速度,有助于降低開關(guān)損��
  3. 高雪崩能量能�,提升了器件的可靠性�
  4. 較寬的工作溫度范�,適�(yīng)各種�(huán)境條件�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保設(shè)�(jì)�
  6. 提供�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和電氣性能�

�(yīng)�

該功� MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)�
  3. 電池保護(hù)電路�
  4. 工業(yè)控制及汽車電子中的功率管理模塊�
  5. LED �(qū)�(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場��

替代型號

IRF530N, FDN340P, BSS138

snj55325j推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)