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SPA17N80C3XKSA1 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/23 3:25:50 查看 閱讀：19

SPA17N80C3XKSA1 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，由 STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）生產(chǎn)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。其耐壓能力高達(dá) 800V，使其非常適合高壓環(huán)境下的電力電子設(shè)備。
　　該型號(hào)中的 'SPA' 表示其屬于 ST 的超級(jí)結(jié) MOSFET 系列，這類器件在高壓應(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的效率和可靠性。

參數(shù)

類型：N溝道MOSFET
　　漏源極電壓(Vds)：800V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：17A
　　柵極-源極電壓(Vgs)：±20V
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：590mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
　　總功耗(Ptot)：240W
　　封裝形式：TO-247
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C

特性

SPA17N80C3XKSA1 的主要特性包括：
　　1. 超低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，能夠有效降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高擊穿電壓（800V），適合用于高壓電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。
　　3. 快速開關(guān)特性，支持高頻應(yīng)用，減少開關(guān)損耗。
　　4. 內(nèi)置反向二極管，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)并提供額外保護(hù)功能。
　　5. 出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，適應(yīng)惡劣的工作環(huán)境。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全可靠。

應(yīng)用

該器件廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開關(guān)電源（SMPS）中的功率因數(shù)校正（PFC）電路。
　　2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制。
　　3. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。
　　4. 不間斷電源（UPS）和電池充電器。
　　5. 各種高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
　　6. 電磁閥驅(qū)動(dòng)和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備。

替代型號(hào)

STP17NF80Z,
　　IRFP460,
　　FDP17N80,
　　IXFN17N80T,
　　IPD170N80S4

spa17n80c3xksa1推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

spa17n80c3xksa1參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ￥43.33000管件
  • 系列CoolMOS?
  • 包裝管件
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）800 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)17A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）290 毫歐 @ 11A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）3.9V @ 1mA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）177 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）2320 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）42W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型通孔
  • 供應(yīng)商器件封裝PG-TO220-3-31
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包