SPH252010H2R2MT是一款高性能的功率MOSFET器件,采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制造。該器件具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能等特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、消�(fèi)類電子等�(lǐng)�。其封裝形式為SOP-8,能夠有效提升電路效率并降低功��
型號(hào):SPH252010H2R2MT
類型:N-Channel MOSFET
封裝:SOP-8
Vds(漏源電壓)�25V
Vgs(柵源電壓):�20V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�1.7mΩ
Id(連續(xù)漏極電流):100A
f(tsw)(切換頻率)�5MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SPH252010H2R2MT的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,能夠顯著減少功率損��
2. 高電流處理能力,最大支�100A連續(xù)漏極電流�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)��
這些特點(diǎn)使其成為高效功率�(zhuǎn)換的理想選擇�
該器件適用于以下�(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制
5. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開(kāi)�(guān)
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)
由于其高效率和可靠�,SPH252010H2R2MT在需要大電流和低功耗的�(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
SPH252010H2R1MT
IRFZ44N
FDP150N10A
STP100N10F5