SPHE8202R-D-HL111 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高頻開關應用設�。該芯片采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和快速開關特�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率。它適用于多種電源管理和電機驅動場景�
型號:SPHE8202R-D-HL111
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�45A
導通電�(Rds(on))�2mΩ(典型值,� Vgs=10V 下)
總功�(Ptot)�250W
工作溫度范圍(Top)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247
SPHE8202R-D-HL111 的主要特性包括低導通電�,有助于減少傳導損耗;具備出色的開關性能,支持高頻操作;�(nèi)置靜電保護功�,提高了器件的可靠�;熱阻較�,有利于散熱管理;提供穩(wěn)健的短路耐受能力以確保在異常條件下的�(wěn)定��
此外,該芯片還采用了�(yōu)化的封裝設計,便于安裝與散熱。其電氣性能�(yōu)越,特別適合需要高效能和高可靠性的應用�(huán)��
SPHE8202R-D-HL111 廣泛應用于開關模式電�(SMPS)、DC-DC轉換�、電機驅動器、逆變器以及負載切換電路等場合。在這些應用�,它可以實現(xiàn)高效的功率轉換和精確的電流控�,從而滿足現(xiàn)代電子設備對能源效率和穩(wěn)定性的要求�
SPHE8201R-D-HL111, IRF840, STP120NF06L