SPM6530T-100M是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能。廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要高效能功率控制的應(yīng)用場(chǎng)景中�
SPM6530T-100M以其卓越的電氣特性和可靠性而著�,適合要求嚴(yán)格的工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4.5mΩ
柵極電荷�75nC
反向恢復(fù)�(shí)間:15ns
工作溫度范圍�-55℃至+150�
封裝形式:TO-220
SPM6530T-100M具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,在高頻�(yīng)用中能夠顯著降低功��
2. 高開(kāi)�(guān)速度,使得其在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)��
3. 良好的熱�(wěn)定性,確保器件能夠在高溫環(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
4. �(qiáng)大的�(guò)流能�,可以承受瞬�(shí)大電流沖��
5. 緊湊且堅(jiān)固的封裝�(shè)�(jì),便于安裝并提高系統(tǒng)的機(jī)械可靠性�
6. 提供了全面的靜電防護(hù)措施,增�(qiáng)了器件的抗干擾能��
這些特點(diǎn)使其成為眾多高效率、高可靠性電力電子系�(tǒng)中的理想選擇�
SPM6530T-100M適用于多種領(lǐng)域,包括但不限于以下�(yīng)用:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,如適配�、充電器等�
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)功能�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
5. LED照明�(qū)�(dòng)電路,用于提供高效的電流�(diào)節(jié)�
由于其優(yōu)秀的電氣性能和可靠�,這款MOSFET在各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的應(yīng)用中都表�(xiàn)出色�
SPM6530T-120M
IRFZ44N
FDP5800
STP30NF10