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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SPP20N60C3

SPP20N60C3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2024/2/29 16:36:53 查看 閱讀�588

SPP20N60C3是一種N溝道MOSFET功率晶體�。它是由Infineon Technologies公司生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET,適用于各種高性能電源�(yīng)��
SPP20N60C3具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和低輸入和輸出電容的�(yōu)�(diǎn),能夠提供高效率和高性能的功率轉(zhuǎn)��
該器件的主要技�(shù)指標(biāo)包括最大漏極電�20A,最大漏�-源極電壓600V,導(dǎo)通電�0.30Ω以及最大功�150W。此�,它還具有低�(kāi)啟電壓和快速開(kāi)�(guān)速度,可�(shí)�(xiàn)高效率和低功率損耗�
SPP20N60C3還具有過(guò)溫保�(hù)功能,可在超�(guò)�(shè)定溫度范圍時(shí)自動(dòng)斷開(kāi)電路,以保護(hù)器件免受�(guò)熱損�。它還具有靜電放電保�(hù)和電流限制功能,以確保在不良工作條件下保持可靠性和安全��
該器件采用TO-220封裝,便于安裝和散熱。它適用于高性能電源�(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源、逆變�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器和電源因特�(wǎng)�(shè)備�

參數(shù)指標(biāo)

最大漏極電流:20A
  最大漏�-源極電壓�600V
  �(dǎo)通電阻:0.30Ω
  最大功耗:150W
  封裝類型:TO-220

組成�(jié)�(gòu)

SPP20N60C3由以下主要組成部分組成:
  漏極:用于控制電流流�(dòng)的輸出端��
  源極:電流的輸入端口�
  柵極:用于控制MOSFET的導(dǎo)通和截止?fàn)顟B(tài)�

工作原理

SPP20N60C3是一種N溝道MOSFET,柵極與源極之間的電壓可以控制漏極與源極之間的電�。當(dāng)柵極電壓高于閾值電壓時(shí),MOSFET�(dǎo)�,允許電流從漏極流向源極。當(dāng)柵極電壓低于閾值電壓時(shí),MOSFET截止,電流無(wú)法通過(guò)�

技�(shù)要點(diǎn)

低導(dǎo)通電阻:SPP20N60C3具有低導(dǎo)通電�,能夠減少功率損��
  高開(kāi)�(guān)速度:快速的�(kāi)�(guān)速度有助于提高功率轉(zhuǎn)換效��
  低輸入和輸出電容:減小輸入和輸出電容可以提高�(kāi)�(guān)速度和減少功率損��

�(shè)�(jì)流程

�(shè)�(jì)使用SPP20N60C3的電源電路時(shí),可以按照以下步驟�(jìn)行:
  確定電源的輸入和輸出電壓要求�
  �(jì)算所需的電流和功率�
  選擇適當(dāng)?shù)碾娫赐負(fù)浣Y(jié)�(gòu),如升壓、降壓或反激�
  根據(jù)�(shè)�(jì)要求選擇合適的元件,包括SPP20N60C3作為功率�(kāi)�(guān)�
  �(jìn)行電路布局和散熱設(shè)�(jì)�
  �(jìn)行電路模擬和�(diào)��
  �(jìn)行電路性能�(cè)試和�(yōu)化�

常見(jiàn)故障及預(yù)防措�

常見(jiàn)故障包括�(guò)�、靜電放電和電流�(guò)載等。為了預(yù)防這些故障,可以采取以下措施:
  �(guò)熱保�(hù):使用散熱器和溫度傳感器�(lái)�(jiān)�(cè)溫度并及�(shí)斷開(kāi)電路,以防止�(guò)熱損��
  靜電放電保護(hù):使用靜電放電保�(hù)電路,如電阻和電容等元件,以保護(hù)MOSFET免受靜電放電的損��
  電流�(guò)載保�(hù):使用電流限制電路或保險(xiǎn)絲等元件�(lái)限制電流,以防止超過(guò)MOSFET的額定電��

spp20n60c3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

spp20n60c3資料 更多>

  • 型號(hào)
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

spp20n60c3參數(shù)

  • �(shù)�(jù)列表SP(P,I,A)20N60C3
  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列CoolMOS™
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C20.7A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C190 毫歐 @ 13.1A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)3.9V @ 1mA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs114nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2400pF @ 25V
  • 功率 - 最�208W
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�PG-TO220-3
  • 包裝管件
  • 其它名稱SP000013527SPP20N60C3BKSA1SPP20N60C3HKSA1SPP20N60C3INSPP20N60C3XSPP20N60C3XINSPP20N60C3XIN-NDSPP20N60C3XK