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SQ2362ES-T1_GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 22:36:29 查看 閱讀：16

SQ2362ES-T1_GE3 是一款高性能的肖特基二極管，廣泛應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電源和高頻整流等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低正向壓降和快速恢復(fù)時(shí)間的特點(diǎn)，能夠有效提高電路效率并減少能量損耗。
　　肖特基二極管因其獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特性，在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于各種工業(yè)及消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

參數(shù)

最大正向電流：8A
　　峰值反向電壓：40V
　　正向壓降：0.45V（典型值，@If=1A）
　　反向恢復(fù)時(shí)間：小于50ns
　　工作溫度范圍：-55℃至+175℃
　　封裝形式：TO-220

特性

SQ2362ES-T1_GE3 的主要特點(diǎn)是低正向壓降，這使得它在高電流應(yīng)用中能夠顯著降低功耗。此外，其快速的反向恢復(fù)時(shí)間使其非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
　　該器件還具有較高的浪涌電流能力，能夠在短時(shí)間內(nèi)承受較大的電流沖擊而不損壞。其出色的熱性能允許其在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行，進(jìn)一步拓寬了其應(yīng)用場(chǎng)景。
　　此外，SQ2362ES-T1_GE3 采用標(biāo)準(zhǔn) TO-220 封裝，易于安裝和使用，且與市場(chǎng)上許多其他型號(hào)兼容，方便設(shè)計(jì)人員進(jìn)行替換或升級(jí)。

應(yīng)用

SQ2362ES-T1_GE3 廣泛應(yīng)用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、開關(guān)電源、太陽能逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器以及汽車電子系統(tǒng)等場(chǎng)景。
　　在電源管理領(lǐng)域，該器件常用于整流和續(xù)流功能；在高頻電路中，其快速響應(yīng)特性使其成為理想的二極管選擇。
　　由于其高耐溫能力和大電流處理能力，該器件也適合于惡劣環(huán)境下的工業(yè)控制設(shè)備。

替代型號(hào)

SQ2362ES-T1
　　SQM2362ET1
　　MBR840U
　　STPS8M40
　　FSCQ840

sq2362es-t1_ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sq2362es-t1_ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ￥5.33000剪切帶（CT）3,000 : ￥1.87867卷帶（TR）
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）60 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)4.3A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）95 毫歐 @ 4.5A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）12 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）550 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）3W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3（TO-236）
  • 封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3