時間：2025/6/3 21:26:36
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SQ27000SIC是一款基于碳化硅（SiC）技術(shù)的MOSFET功率器件，廣泛應(yīng)用于高電壓、高頻開關(guān)場景。該芯片結(jié)合了碳化硅材料的優(yōu)異性能，具備高效率、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)能力，適用于新能源汽車、光伏逆變器、服務(wù)器電源和工業(yè)電機驅(qū)動等高要求領(lǐng)域。
與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，SQ27000SIC在高溫環(huán)境下具有更高的穩(wěn)定性和更低的能量損耗，同時支持更小的系統(tǒng)尺寸和更高的工作頻率，從而優(yōu)化整體設(shè)計并提升系統(tǒng)性能。
型號：SQ27000SIC
類型：SiC MOSFET
VDS（漏源極電壓）：1200V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻）：30mΩ
ID（持續(xù)漏電流）：27A
柵極電荷（Qg）：95nC
輸入電容（Ciss）：1460pF
輸出電容（Coss）：80pF
反向恢復(fù)時間（trr）：50ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
SQ27000SIC采用先進的碳化硅制造工藝，具備以下顯著特點：
1. 高電壓耐受能力：支持高達1200V的工作電壓，適合高壓應(yīng)用環(huán)境。
2. 超低導(dǎo)通電阻：僅30mΩ的RDS(on)，有效降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)速度：極低的柵極電荷和反向恢復(fù)時間，減少開關(guān)損耗并提高工作效率。
4. 寬溫操作范圍：從-55℃到+175℃的寬溫度區(qū)間確保其在極端條件下的可靠性。
5. 高頻工作能力：能夠以更高的頻率運行，減小無源元件體積，從而實現(xiàn)緊湊型設(shè)計。
6. 零反向恢復(fù)電荷：無體二極管反向恢復(fù)問題，進一步改善系統(tǒng)效率。
這些特性使SQ27000SIC成為高性能功率轉(zhuǎn)換和控制應(yīng)用的理想選擇。
SQ27000SIC主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 新能源汽車中的DC-DC轉(zhuǎn)換器和車載充電器。
2. 光伏逆變器中用于高效能量轉(zhuǎn)換。
3. 數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器電源模塊，提供更高的功率密度。
4. 工業(yè)電機驅(qū)動，支持高頻PWM控制和快速動態(tài)響應(yīng)。
5. UPS不間斷電源系統(tǒng)，增強系統(tǒng)的可靠性和效率。
6. 開關(guān)電源（SMPS）以及各種需要高壓大電流處理的應(yīng)用場景。
C2M0080120D, STPSC25N120, FGA2S27BD120B
