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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQ3427AEEV-T1-GE3

SQ3427AEEV-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/30 19:49:14 查看 閱讀�28

SQ3427AEEV-T1-GE3 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件,廣泛應(yīng)用于功率�(zhuǎn)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開(kāi)�(guān)等領(lǐng)�。該型號(hào)屬于英飛凌(Infineon)推出的 OptiMOS 系列,采用先�(jìn)的溝槽技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻、高效率和出色的熱性能等特�。此�(chǎn)品適用于工業(yè)和汽車領(lǐng)域中的多種應(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

類型:MOSFET
  極性:N-channel
  最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�89A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.6mΩ
  總閘極電�(Qg)�58nC
  �(kāi)�(guān)速度:高�
  封裝形式:TO-Leadless (TOLL)
  工作溫度范圍�-55� to 175�

特�

SQ3427AEEV-T1-GE3 的主要特�(diǎn)是其超低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,僅� 1.6mΩ,這使其非常適合高效率功率�(zhuǎn)換應(yīng)�。同�(shí),該器件具備快速開(kāi)�(guān)性能,能夠顯著減少開(kāi)�(guān)損�,提升系�(tǒng)整體效率�
  此外,SQ3427AEEV-T1-GE3 使用�(wú)引腳封裝(TO-Leadless�,有助于提高散熱性能并降低寄生電�,從而�(jìn)一步優(yōu)化電路設(shè)�(jì)�
  在可靠性方�,該器件通過(guò)了嚴(yán)格的汽車�(jí)�(rèn)證(AEC-Q101),可承受極端環(huán)境條件下的長(zhǎng)期使�,適合要求苛刻的�(yīng)用場(chǎng)景�
  由于其出色的電氣特性和�(jī)械結(jié)�(gòu)�(shè)�(jì),SQ3427AEEV-T1-GE3 成為工業(yè)�(shè)備、電�(dòng)汽車及新能源�(lǐng)域中常用的功率元件之一�

�(yīng)�

該芯片主要用于需要高效功率控制和管理的應(yīng)用中,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. DC-DC �(zhuǎn)換器
  2. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  4. 電動(dòng)車輛�(qū)�(dòng)系統(tǒng)
  5. 工業(yè)電機(jī)控制
  6. 太陽(yáng)能逆變�
  7. �(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路
  SQ3427AEEV-T1-GE3 的高電流承載能力和低�(dǎo)通電阻使其成為上述應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

SQ3427AESE, SQ3427AEHE

sq3427aeev-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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