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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQ4284EY-T1-GE3

SQ4284EY-T1-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/3/27 14:38:02 查看 閱讀�42

SQ4284EY-T1-GE3 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等電力電子領(lǐng)域。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具備低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)秀的熱性能,能夠有效提升系�(tǒng)的效率與可靠性�
  這款器件的工作電壓范圍較�,適用于多種�(yīng)用場(chǎng)�,同�(shí)其封裝設(shè)�(jì)便于散熱,�(jìn)一步提升了�(chǎn)品的使用壽命和穩(wěn)定性�

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�75A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
  總功�(Ptot)�150W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55°C � +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特�

SQ4284EY-T1-GE3 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少�(dǎo)通損耗,從而提高系�(tǒng)效率�
  2. 高電流承載能�,支持高�(dá) 75A 的連續(xù)漏極電流,適合大功率�(yīng)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能,降低開(kāi)�(guān)損耗并提升高頻工作下的表現(xiàn)�
  4. �(qiáng)大的散熱能力,得益于 TO-247-3 封裝�(shè)�(jì),確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運(yùn)行�
  5. 寬工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
  6. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,減少開(kāi)�(guān)噪聲并優(yōu)化動(dòng)�(tài)性能�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�

�(yīng)�

SQ4284EY-T1-GE3 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開(kāi)�(guān)元件�
  2. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(kāi)�(guān)�
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器的核心功率級(jí)組件�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
  5. 電動(dòng)車及混合�(dòng)力汽車的�(dòng)力管理系�(tǒng)�
  6. 太陽(yáng)能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

SQ4284EY-T1-G, SQ4284EY-T1-GE, IRF7844PBF

sq4284ey-t1-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

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