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SQ4483EEY-T1-GE3 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 0:39:23 查看 閱讀:8

SQ4483EEY-T1-GE3 是一款由 Vishay 提供的 N 溝道增強型功率 MOSFET。該器件采用 TrenchFET Gen III 技術(shù),具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,非常適合用于各種電源管理應(yīng)用,例如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)和電池管理系統(tǒng)。
  其封裝形式為 TSOT23-6L 封裝,能夠有效節(jié)省 PCB 空間,同時提供良好的散熱性能。

參數(shù)

最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):5.7A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):18mΩ(典型值,在 Vgs=10V 時)
  柵極電荷(Qg):12nC(最大值)
  輸入電容(Ciss):205pF(典型值)
  工作溫度范圍:-55°C 至 +150°C

特性

SQ4483EEY-T1-GE3 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可顯著降低傳導(dǎo)損耗并提高效率。
  2. 高速開關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用。
  3. 小型 TSOT23-6L 封裝,有助于減少 PCB 占用空間。
  4. 具備出色的熱性能,確保在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且支持無鉛焊接工藝。
  6. 可靠性高,適用于嚴(yán)苛的工作條件。

應(yīng)用

SQ4483EEY-T1-GE3 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 移動設(shè)備中的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和負(fù)載開關(guān)。
  2. 工業(yè)設(shè)備中的電機驅(qū)動和電池保護電路。
  3. 筆記本電腦和平板電腦的電源管理系統(tǒng)。
  4. 便攜式電子產(chǎn)品的充電器和適配器。
  5. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場景。

替代型號

SQ4482EYT1-GE3, SQJ696EP-T1-GE3

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