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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQ7415AEN-T1_GE3

SQ7415AEN-T1_GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 16:35:34 查看 閱讀�20

SQ7415AEN-T1_GE3 是一款基于硅材料的肖特基二極管,主要�(yīng)用于高頻整流和開�(guān)電路。該器件具有低正向電壓降、快速恢�(fù)�(shí)間和高浪涌電流能力的特點(diǎn),適用于汽車電子、電源適配器以及開關(guān)電源等場(chǎng)景。其封裝形式� TO-252 (DPAK),適合表面貼裝工�,能夠有效節(jié)省空間并提升散熱性能�
  肖特基二極管以其�(dú)特的物理特�,在高頻和低功耗應(yīng)用中表現(xiàn)尤為突出,因� SQ7415AEN-T1_GE3 廣泛用于需要高效能�(zhuǎn)換和快速響�(yīng)的電路設(shè)�(jì)�

參數(shù)

最大反向電壓:60V
  最大正向電流:5A
  正向電壓降(典型值)�0.55V
  反向恢復(fù)�(shí)間:4ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  熱阻(結(jié)到外殼)�40°C/W
  封裝類型:TO-252 (DPAK)
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65� � +150�

特�

SQ7415AEN-T1_GE3 的核心優(yōu)�(shì)在于其出色的高頻性能和低功耗特�。具體來(lái)�(shuō)�
  1. 低正向電壓降可減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速反向恢�(fù)�(shí)間使其非常適合高頻應(yīng)用,避免了因延遲引起的能量損��
  3. 高浪涌電流能力增�(qiáng)了器件在瞬態(tài)條件下的可靠性�
  4. 寬工作結(jié)溫范圍確保其能夠在極端環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
  5. 表面貼裝封裝�(jiǎn)化了生產(chǎn)流程,同�(shí)提升了散熱性能�
  這些特點(diǎn)使得 SQ7415AEN-T1_GE3 成為許多高性能電源管理�(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該二極管廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源中的高頻整流�
  2. 汽車電子系統(tǒng)的保�(hù)電路�
  3. 工業(yè)控制�(shè)備中的信�(hào)處理�
  4. 通信�(shè)備中的電源模塊�
  5. 筆記本電腦及平板�(shè)備的充電器設(shè)�(jì)�
  SQ7415AEN-T1_GE3 的高性能指標(biāo)和可靠性使其成為工程師�(shè)�(jì)高效、緊湊型電源解決方案�(shí)的重要選擇�

替代型號(hào)

SQ7415AEP-T1_GE3
  SMB5060BT3G
  RB5060T

sq7415aen-t1_ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sq7415aen-t1_ge3參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�停產(chǎn)
  • 系列TrenchFET?
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • FET 類型P 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�60 V
  • 25°C �(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)16A(Tc�
  • �(qū)�(dòng)電壓(最� Rds On,最� Rds On�4.5V�10V
  • 不同 Id、Vgs �(shí)�(dǎo)通電阻(最大值)65 毫歐 @ 5.7A�10V
  • 不同 Id �(shí) Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs �(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值)38 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds �(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值)1385 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)53W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�PowerPAK? 1212-8
  • 封裝/外殼PowerPAK? 1212-8