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SQ9945AEY-T1-E3 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 1:27:08 查看 閱讀:14

SQ9945AEY-T1-E3是一款高性能的MOSFET功率晶體管,適用于高頻率和高效率的開關應用。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻、快速開關速度以及出色的熱性能,廣泛用于電源管理、電機驅動、DC-DC轉換器以及其他電力電子設備中。
  這款芯片屬于增強型N溝道場效應晶體管(NMOS),能夠在高頻條件下提供高效的電流控制能力,同時保持較低的功耗。

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流:30A
  導通電阻:1.2mΩ
  柵極電荷:75nC
  開關時間:ton=15ns, toff=35ns
  工作溫度范圍:-55℃至175℃

特性

SQ9945AEY-T1-E3的主要特點是其超低的導通電阻,僅為1.2毫歐,這使得它在大電流應用場景下能夠顯著減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率。
  此外,該器件還具備快速的開關速度,柵極電荷僅為75納庫侖,有助于降低開關損耗。其優(yōu)化的封裝設計提供了良好的散熱性能,確保在高溫環(huán)境下依然可以穩(wěn)定運行。
  該芯片的工作溫度范圍非常寬廣,從-55攝氏度到175攝氏度,適合各種惡劣環(huán)境下的應用需求。同時,其堅固的設計結構和高質量的材料選擇也增強了產(chǎn)品的可靠性與耐用性。

應用

SQ9945AEY-T1-E3廣泛應用于多個領域,包括但不限于以下方面:
  1. 開關電源(SMPS)
  2. DC-DC轉換器
  3. 電機驅動電路
  4. 太陽能逆變器
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊
  由于其高效、可靠及耐高溫等特性,這款器件非常適合需要高功率密度和高效率的場合。

替代型號

SQ9945BEY-T1-E3, IRFZ44N, FDP55N06L

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  • 產(chǎn)品型號
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sq9945aey-t1-e3產(chǎn)品

sq9945aey-t1-e3參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型2 個 N 溝道(雙)
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)60V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C3.7A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫歐 @ 3.7A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs20nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大-
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商設備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)