SQCB2M331JATME500 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),屬� Infineon Technologies � CoolMOS 系列。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適用于各種功率�(zhuǎn)換應(yīng)�,如�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 DC-DC �(zhuǎn)換器�。其封裝形式� TO-Leadless (TOLL),有助于提高散熱性能并減少寄生電感的影響�
該器件的�(shè)�(jì)旨在�(yōu)化效率與可靠�,在高頻工作條件下表�(xiàn)出色,同�(shí)支持較高的連續(xù)漏極電流。通過(guò)使用 SQCB2M331JATME500,設(shè)�(jì)者可以顯著降低系�(tǒng)功耗并提升整體性能�
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(V_DS)�650V
最大連續(xù)漏極電流(I_D)�14A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�330mΩ
柵極電荷(Q_g)�48nC
總功�(P_TOT)�210W
工作�(jié)溫范�(T_J)�-55°C � +175°C
封裝:TO-Leadless (TOLL)
漏源擊穿電壓�650V
SQCB2M331JATME500 具備以下主要特性:
1. 高耐壓能力:其額定漏源電壓高達(dá) 650V,適合用于高壓環(huán)境下的功率轉(zhuǎn)換應(yīng)��
2. 低導(dǎo)通電阻:在典型工作條件下,導(dǎo)通電阻僅� 330mΩ,從而降低了傳導(dǎo)損��
3. 快速開(kāi)�(guān)性能:通過(guò)�(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì),該器件能夠?qū)崿F(xiàn)快速的�(kāi)�(guān)切換,�(jìn)一步降低開(kāi)�(guān)損耗�
4. 高可靠性:采用� Infineon 的先�(jìn)制造技�(shù),確保了�(zhǎng)期使用的�(wěn)定性和可靠性�
5. �(yōu)化的熱性能:TO-Leadless 封裝形式提供了卓越的散熱性能,使器件能夠在高功率密度的應(yīng)用中保持較低的工作溫度�
6. 減少寄生電感:由于封裝設(shè)�(jì)的改�(jìn),寄生電感顯著降�,從而提高了高頻工作條件下的效率�
7. 寬溫度范圍:可以� -55°C � +175°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)正常工作,適�(yīng)各種極端�(huán)境�
SQCB2M331JATME500 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主�(kāi)�(guān)管或同步整流�,用于高效能 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于無(wú)刷直流電�(jī)(BLDC)或其他類(lèi)型電�(jī)的驅(qū)�(dòng)電路,提供精確的控制和高效的能量傳輸�
3. 工業(yè)自動(dòng)化:在工�(yè)�(shè)備中的功率控制模�,如伺服�(qū)�(dòng)器和逆變��
4. 太陽(yáng)能逆變器:在光伏系�(tǒng)中用于能量轉(zhuǎn)換和管理,以最大化太陽(yáng)能發(fā)電效��
5. 電動(dòng)�(chē)(EV) 和混合動(dòng)力車(chē)(HEV):在�(chē)載充電器(OBC)和電池管理系�(tǒng)(BMS)中起到關(guān)鍵作用�
6. LED 照明�(qū)�(dòng):為大功� LED 照明系統(tǒng)提供�(wěn)定的電流輸出�
SQJC2M331JATME500, SQDB2M331JATME500