SQCB7A9R1CA1WE 是一款由知名半導體廠商生�(chǎn)的高效能功率 MOSFET 芯片,屬� N 溝道增強型器件。該芯片主要應用于電源管�、電機驅�、負載開關等需要高效率和低損耗的場景。其設計�(yōu)化了導通電阻和柵極電荷特�,從而在高頻開關應用中表�(xiàn)出色。此�,SQCB7A9R1CA1WE 還具有出色的熱性能和可靠性,適用于多種工�(yè)及消費類電子設備�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�35nC
工作溫度范圍�-55� � 175�
封裝形式:TO-263
SQCB7A9R1CA1WE 具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高溫�(huán)境下長期可靠運行�
3. 快速開關性能,適合高頻應用場景�
4. 高雪崩能�,增強了器件在異常條件下的魯棒��
5. 小型化封裝,便于 PCB 布局和空間優(yōu)��
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
SQCB7A9R1CA1WE 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. 電機驅動電路中的功率級控制�
3. 負載開關和保護電��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換模��
6. 消費類電子產(chǎn)品中的高效電源管理方��
SQCB7A9R1CA1WB, IRF7843, FDP010N06L