SQCB7M180FAJME 是一款由 ON Semiconductor(安森美)生產的 MOSFET 功率晶體�,采� TOLL 封裝形式。該器件屬于 SuperFET III 系列,是一� N 沫增強型功率 MOSFET,專為高效率、低導通損耗的應用而設計。它適用于各種需要高效開關和低導通電阻的場景,例如服務器、電信設備以� DC-DC 轉換器等應用�
型號:SQCB7M180FAJME
封裝:TOLL
VDS(漏源電壓)�180V
RDS(on)(導通電阻)�3.5mΩ(典型值,VGS=10V�
ID(連續(xù)漏極電流):89A
Qg(總柵極電荷):64nC
EAS(雪崩能量)�275mJ
fSW(推薦開關頻率):高� 1MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SQCB7M180FAJME 具有非常低的導通電� RDS(on),僅� 3.5mΩ(在 VGS=10V 時),這有助于減少導通狀�(tài)下的功�,從而提高系統效率。此�,該器件采用了先進的 SuperFET III 技術,能夠顯著降低開關損耗并提供更高的能效表��
其優(yōu)化的 Qg � EAS 參數使其非常適合高頻開關應用,并具備強大的抗雪崩能力,確保在異常情況下依然可靠運�。同�,TOLL 封裝形式具有出色的散熱性能,支持更緊湊的設計和更高功率密度的應��
另外,SQCB7M180FAJME 的工作溫度范圍廣�,從 -55°C � +175°C,適應各種極端環(huán)境條件�
SQCB7M180FAJME 主要應用于需要高性能功率轉換的領�,包括但不限于以下場景:
1. 高效 DC-DC 轉換�
2. 服務器和電信電源
3. 工業(yè)電機驅動
4. 太陽能逆變�
5. 開關模式電源(SMPS�
6. ORing 控制電路
7. 電池管理系統(BMS�
其低導通電阻和�(yōu)秀的開關性能使該器件成為許多高功率密度和高效率需求的理想選擇�
SQJB7M180FAJME