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SQCB7M180FATME500 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 20:19:03 查看 閱讀�12

SQCB7M180FATME500 是一款基于硅技�(shù)的高性能 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于高頻、高效能的應用場�。其封裝形式� TO-247,適合需要良好散熱性能的設��
  這款 MOSFET 廣泛用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種工�(yè)控制�(lǐng)�。其出色的電氣特性使其成為許多功率轉(zhuǎn)換應用的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源電壓:180V
  連續(xù)漏極電流�60A
  導通電阻(典型值)�1.2mΩ
  柵極電荷�90nC
  開關(guān)頻率:高� 1MHz
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:TO-247

特�

SQCB7M180FATME500 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高開�(guān)速度設計,能夠適應高頻應用需求�
  3. 高耐壓能力,確保在惡劣�(huán)境下可靠運行�
  4. 較小的柵極電�,降低驅(qū)動功耗�
  5. 寬溫度范圍操�,適應多種工�(yè)�(huán)��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

應用

該器件適用于以下應用�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機�(qū)動和控制�
  3. 太陽能逆變器中的功率級開關(guān)�
  4. 電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)�
  5. 高效功率因數(shù)校正(PFC)電��
  6. 各類負載切換和保護電路�

替代型號

SQCB7M180FAHME500, IRF180PBF, FDP18N18

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