SQCB7M180FATME500 是一款基于硅技�(shù)的高性能 N 溝道增強� MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于高頻、高效能的應用場�。其封裝形式� TO-247,適合需要良好散熱性能的設��
這款 MOSFET 廣泛用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及各種工�(yè)控制�(lǐng)�。其出色的電氣特性使其成為許多功率轉(zhuǎn)換應用的理想選擇�
最大漏源電壓:180V
連續(xù)漏極電流�60A
導通電阻(典型值)�1.2mΩ
柵極電荷�90nC
開關(guān)頻率:高� 1MHz
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:TO-247
SQCB7M180FATME500 具有以下顯著特點�
1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度設計,能夠適應高頻應用需求�
3. 高耐壓能力,確保在惡劣�(huán)境下可靠運行�
4. 較小的柵極電�,降低驅(qū)動功耗�
5. 寬溫度范圍操�,適應多種工�(yè)�(huán)��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
該器件適用于以下應用�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機�(qū)動和控制�
3. 太陽能逆變器中的功率級開關(guān)�
4. 電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng)�
5. 高效功率因數(shù)校正(PFC)電��
6. 各類負載切換和保護電路�
SQCB7M180FAHME500, IRF180PBF, FDP18N18