SQCB7M2R2BAJME 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體管,主要用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及其他需要高�(kāi)�(guān)速度和低�(dǎo)通電阻的�(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用增強(qiáng)� GaN HEMT 技�(shù),具有出色的熱性能和電氣特�。其封裝形式為緊湊型表面貼裝,適合高密度�(shè)�(jì)�
該芯片通過(guò)�(yōu)化的柵極�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),能夠在高頻條件下提供更高的能效和更小的系統(tǒng)體積,同�(shí)降低了電磁干擾的可能��
型號(hào):SQCB7M2R2BAJME
�(lèi)型:增強(qiáng)� GaN 功率晶體�
最大漏源電� (Vds)�650 V
最大漏電流 (Id)�7 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�2.2 mΩ
柵極閾值電� (Vgs(th))�1.4 V � 2.8 V
工作溫度范圍�-55 � � +175 �
封裝形式:TO-LEADLESS 表面貼裝
功耗:取決于具體應(yīng)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,支� MHz �(jí)別的�(kāi)�(guān)頻率�
3. �(nèi)置保�(hù)功能,例如過(guò)流保�(hù)和短路保�(hù),提升系�(tǒng)的可靠��
4. 高擊穿電壓(650V�,使其適用于廣泛的高壓應(yīng)用場(chǎng)��
5. 小型化的封裝�(shè)�(jì),有助于減小 PCB 占用面積�
6. 出色的熱管理能力,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的性能�
這些特性使� SQCB7M2R2BAJME 成為高性能電源解決方案的理想選��
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電動(dòng)汽車(chē) (EV) 和混合動(dòng)力汽�(chē) (HEV) 的車(chē)載充電器�
3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器�
4. 太陽(yáng)能微型逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
5. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源和電信�(shè)備電��
6. 快速充電器和其他消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中的高效電源模��
其高效率和小型化特點(diǎn)非常適合�(duì)空間和能效有�(yán)格要求的�(yīng)用場(chǎng)景�
SQCB7M2R2BAJM, SQCB7M2R2BAJMEP