SQCB7M430FATME 是一款由意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的 N 沀道晶體管(N-MOSFET)。該器件采用 PowerSSO-16 封裝,具有低導(dǎo)通電阻和高開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。
這款 MOSFET 的設(shè)計(jì)使其非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)以及需要高效能和低損耗的場(chǎng)景。其出色的熱性能和電氣特性確保了在高功率密度應(yīng)用中的穩(wěn)定表現(xiàn)。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:43A
導(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷:52nC
總電容:1150pF
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
SQCB7M430FATME 提供了卓越的性能表現(xiàn),主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有效降低了傳導(dǎo)損耗。
2. 高額定電流能力,支持高達(dá) 43A 的連續(xù)漏極電流。
3. 快速開(kāi)關(guān)性能,減少開(kāi)關(guān)損耗,提高系統(tǒng)效率。
4. 具備強(qiáng)大的散熱性能,適合高功率密度的應(yīng)用環(huán)境。
5. 工作溫度范圍寬廣,適應(yīng)各種嚴(yán)苛的工作條件。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿(mǎn)足國(guó)際法規(guī)要求。
該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
5. 太陽(yáng)能逆變器
6. 電池管理系統(tǒng)(BMS)
7. 電動(dòng)工具和家電中的功率轉(zhuǎn)換模塊