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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQCB7M9R1BAJWE

SQCB7M9R1BAJWE 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 12:29:31 查看 閱讀�17

SQCB7M9R1BAJWE 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著降低開�(guān)損耗并提升系統(tǒng)性能。其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及通信�(shè)備的理想選擇�
  該型�(hào)集成了驅(qū)�(dòng)�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換,同時(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠��

參數(shù)

類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
  耐壓�650 V
  連續(xù)漏極電流�9 A
  �(dǎo)通電阻:120 mΩ
  柵極電荷�45 nC
  開關(guān)頻率:高�(dá) 5 MHz
  封裝形式:LLGA-8
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C

特�

SQCB7M9R1BAJWE 的主要特�(diǎn)是采用了氮化鎵材料,相較于傳�(tǒng)的硅� MOSFET,具有更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度�
  1. 高效功率�(zhuǎn)換:由于較低的開�(guān)損耗和�(dǎo)通損�,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
  2. 熱性能�(yōu)異:�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)有助于熱量有效散�(fā),延�(zhǎng)器件壽命�
  3. 小型化設(shè)�(jì):緊湊的封裝尺寸使它在空間受限的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
  4. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,確保�(zhǎng)期運(yùn)行的�(wěn)定��
  5. 快速開�(guān)能力:能夠支� MHz �(jí)別的開關(guān)頻率,非常適合高� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�

�(yīng)�

SQCB7M9R1BAJWE 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 服務(wù)器電源:提供高效、緊湊的電源解決方案�
  2. 通信電源:如基站電源和網(wǎng)�(luò)�(shè)備供��
  3. 消費(fèi)類電子:快速充電器、適配器��
  4. 工業(yè)電源:例如不間斷電源 (UPS) � LED �(qū)�(dòng)��
  5. 新能源設(shè)備:光伏逆變器、儲(chǔ)能系�(tǒng)中的高頻功率�(zhuǎn)換模塊�

替代型號(hào)

SQCB7M9R1BAJXE, SQDB7M9R1BAJWE

sqcb7m9r1bajwe推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sqcb7m9r1bajwe參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Component Solutions for Smart Meter Applications
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝80
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列SQ
  • 電容9.1pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 容差±0.1pF
  • 溫度系數(shù)M
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 額定�-
  • 封裝/外殼1111�2828 公制�
  • 尺寸/尺寸0.110" L x 0.110" W�2.79mm x 2.79mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.102"�2.59mm�
  • 引線間隔-
  • 特點(diǎn)� Q 值,低損�
  • 包裝托盤 - 晶粒
  • 引線�-