SQCB7M9R1BAJWE 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,適用于高頻開關(guān)�(yīng)用。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠顯著降低開�(guān)損耗并提升系統(tǒng)性能。其高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻特性使其成為電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器以及通信�(shè)備的理想選擇�
該型�(hào)集成了驅(qū)�(dòng)�(yōu)化設(shè)�(jì),能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換,同時(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和可靠��
類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
耐壓�650 V
連續(xù)漏極電流�9 A
�(dǎo)通電阻:120 mΩ
柵極電荷�45 nC
開關(guān)頻率:高�(dá) 5 MHz
封裝形式:LLGA-8
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
SQCB7M9R1BAJWE 的主要特�(diǎn)是采用了氮化鎵材料,相較于傳�(tǒng)的硅� MOSFET,具有更低的�(dǎo)通電阻和更快的開�(guān)速度�
1. 高效功率�(zhuǎn)換:由于較低的開�(guān)損耗和�(dǎo)通損�,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)景�
2. 熱性能�(yōu)異:�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)有助于熱量有效散�(fā),延�(zhǎng)器件壽命�
3. 小型化設(shè)�(jì):緊湊的封裝尺寸使它在空間受限的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
4. 可靠性高:經(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試,確保�(zhǎng)期運(yùn)行的�(wěn)定��
5. 快速開�(guān)能力:能夠支� MHz �(jí)別的開關(guān)頻率,非常適合高� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
SQCB7M9R1BAJWE 廣泛�(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 服務(wù)器電源:提供高效、緊湊的電源解決方案�
2. 通信電源:如基站電源和網(wǎng)�(luò)�(shè)備供��
3. 消費(fèi)類電子:快速充電器、適配器��
4. 工業(yè)電源:例如不間斷電源 (UPS) � LED �(qū)�(dòng)��
5. 新能源設(shè)備:光伏逆變器、儲(chǔ)能系�(tǒng)中的高頻功率�(zhuǎn)換模塊�
SQCB7M9R1BAJXE, SQDB7M9R1BAJWE