国产在线中文字幕亚洲,一区视频国产精品观看,欧美日韩国产高清片,久久久久久AV无码免费网站,亚洲无码一二三四五区,日韩无码www.,sese444

您好，歡迎來(lái)到維庫(kù)電子市場(chǎng)網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)

您所在的位置：電子元器件采購(gòu)網(wǎng) > IC百科 > SQD19P06-60L_GE3

SQD19P06-60L_GE3 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 13:26:23 查看 閱讀：22

SQD19P06-60L_GE3是一款功率MOSFET器件，主要用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及其他需要高效功率管理的應(yīng)用場(chǎng)景。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn)，從而能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。
　　該型號(hào)屬于功率MOSFET系列，通常被用于高電流和高電壓應(yīng)用中，其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的PDFN5*6-8L，具備良好的散熱性能以及電氣特性。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：34A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：1.7mΩ
　　柵極電荷：25nC
　　輸入電容：1320pF
　　開(kāi)關(guān)速度：非�？�
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃

特性

SQD19P06-60L_GE3的主要特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在不同條件下的典型值為1.7mΩ，有助于減少傳導(dǎo)損耗。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，可有效降低開(kāi)關(guān)損耗，適用于高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)器件的魯棒性和可靠性。
　　4. 小型PDFN封裝，提供卓越的熱性能和電氣性能，同時(shí)節(jié)省PCB空間。
　　5. 支持寬范圍的工作溫度，適合各種嚴(yán)苛環(huán)境下的應(yīng)用。
　　6. 符合RoHS。

應(yīng)用

這款MOSFET器件廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器，如降壓、升壓或升降壓轉(zhuǎn)換電路。
　　3. 電動(dòng)工具、家用電器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
　　5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率控制模塊，例如電池管理系統(tǒng)（BMS）、燃油噴射系統(tǒng)等。
　　6. 高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如太陽(yáng)能逆變器和不間斷電源（UPS）。

替代型號(hào)

SQD19N06-60L, IRF6620, AO6620

sqd19p06-60l_ge3推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sqd19p06-60l_ge3參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格1 : ￥12.72000剪切帶（CT）2,000 : ￥5.39910卷帶（TR）
  • 系列Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
  • 包裝卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • FET 類型P 通道
  • 技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）60 V
  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)20A（Tc）
  • 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）55 毫歐 @ 19A，10V
  • 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）41 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）±20V
  • 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）1490 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）46W（Tc）
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安裝類型表面貼裝型
  • 供應(yīng)商器件封裝TO-252AA
  • 封裝/外殼TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63