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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > SQD40N10-25-GE3

SQD40N10-25-GE3 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/7 10:13:15 查看 閱讀�52

SQD40N10-25-GE3 是一� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),適用于多種�(kāi)�(guān)和功率控制應(yīng)用。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度以及出色的熱性能�
  其主要特�(diǎn)是能夠承受較高的電壓,并在中等電流范圍內(nèi)提供高效的功率轉(zhuǎn)換能�,適合工�(yè)、汽車及消費(fèi)類電子領(lǐng)域的�(yīng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:100V
  連續(xù)漏極電流�40A
  �(dǎo)通電阻:8mΩ
  柵極電荷�75nC
  總電容:1200pF
  工作�(jié)溫范圍:-55� � 150�

特�

提供了優(yōu)異的電氣性能,包括低�(dǎo)通電阻以減少功率損�,同�(shí)具有快速的�(kāi)�(guān)速度,從而降低開(kāi)�(guān)損��
  它還具有良好的熱�(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持可靠�(yùn)��
  此外,其�(jiān)固的�(shè)�(jì)使其能夠承受瞬態(tài)電壓和電流沖�,非常適合用于需要頻繁開(kāi)�(guān)或負(fù)載變化的�(yīng)用場(chǎng)��
  該型�(hào)采用 TO-247 封裝形式,便于散熱管理并�(jiǎn)� PCB �(shè)�(jì)�(guò)��

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、電源管理模�、逆變器以� LED �(qū)�(dòng)等領(lǐng)��
  在汽車行�(yè)中,它可用于啟動(dòng)系統(tǒng)、電�(dòng)助力�(zhuǎn)向以及電�(dòng)車窗等裝��
  工業(yè)�(lǐng)域中,它可以作為固態(tài)繼電器或功率放大器的一部分,實(shí)�(xiàn)�(duì)大功率設(shè)備的有效控制�
  同時(shí),由于其出色的效率表�(xiàn),也常被用作消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電源開(kāi)�(guān)組件�

替代型號(hào)

SQD40N10L-25-GE3
  SQD40N10P-25-GE3
  IRFZ44N
  FDP55N10

sqd40n10-25-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

sqd40n10-25-ge3參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電�(Vdss)100V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C40A
  • �(kāi)�(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫歐 @ 40A�10V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs70nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3380pF @ 25V
  • 功率 - 最�136W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252,(D-Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)