SQD40N10-25_GE3 是一� N 溝道增強型功率場效應晶體管(MOSFET�,適用于需要高效率和低導通電阻的開關(guān)應用。該器件采用 TO-252 封裝,具有出色的熱性能和電氣特�,適合用于各種電源管理和電機�(qū)動電路中�
該型號中� SQD 表示其為功率 MOSFET 系列�40N 表示其最大導通電阻和電壓參數(shù),� 10 則代表其耐壓等級� 100V。GE3 標識表示該產(chǎn)品經(jīng)過了第三代工藝優(yōu)化,具備更低的導通損耗和更高的可靠��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�25A
導通電阻(典型值)�4.0mΩ
柵極電荷�45nC
總功耗:15W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-252
SQD40N10-25_GE3 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,得益于�(yōu)化的柵極電荷設計,可以顯著降低開�(guān)損��
3. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的�(jié)�,確保在嚴苛�(huán)境下的可靠運行�
4. 提供短路保護功能,增強了器件在異常情況下的耐用��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足全球法規(guī)要求�
6. 第三代制造工藝改進進一步提升了�(chǎn)品的整體性能和一致��
SQD40N10-25_GE3 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓模塊�
3. 電機�(qū)動電�,包括無刷直流電機(BLDC)控制器�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電��
6. 通信電源和其他高功率密度應用�
SQD40N10-25_GH3
SQD40N10L-25
FDP040N10S
IRFZ44N