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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > SQD50N03-06P-GE3

SQD50N03-06P-GE3 發(fā)布時間 時間�2025/5/24 14:11:41 查看 閱讀�15

SQD50N03-06P-GE3是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),由Semikron等制造商生產(chǎn)。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)速度,適用于多種電力電子�(yīng)用。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝工�,廣泛應(yīng)用于電源�(zhuǎn)�、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等領(lǐng)域�
  這款MOSFET的最大額定電壓為30V,最大電流為50A,能夠滿足高效率和高性能的需�。其出色的熱性能和電氣特性使其成為工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�

參數(shù)

最大漏源極電壓�30V
  連續(xù)漏極電流�50A
  導通電阻:4.5mΩ
  柵極電荷�18nC
  開關(guān)速度:超�
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C

特�

SQD50N03-06P-GE3的主要特點是低導通電�,這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。同�,其快速的開關(guān)速度使得它在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色。此�,該器件具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常運��
  其緊湊的TO-252封裝�(shè)計簡化了PCB布局,并且支持高效的散熱管理。這些特點共同確保了該MOSFET在各種復雜環(huán)境中的卓越表�(xiàn)�

�(yīng)�

SQD50N03-06P-GE3適用于直�-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電池管理系�(tǒng)、電機控�、LED�(qū)動器以及負載切換等場�。憑借其高電流承載能力和低導通損�,該器件非常適合需要高效功率傳�?shù)�?yīng)用場合�
  此外,它也常用于工業(yè)自動化設(shè)�、家用電器及通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率管理部��

替代型號

SQD50N03L-06P-GE3
  SQJ59VN
  IRLZ44N

sqd50n03-06p-ge3推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

sqd50n03-06p-ge3參數(shù)

  • 標準包裝2,000
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列TrenchFET®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C50A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6 毫歐 @ 20A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs38nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds4030pF @ 25V
  • 功率 - 最�83W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-252-3,DPak�2 引線+接片�,SC-63
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-252,(D-Pak�
  • 包裝帶卷 (TR)