SQD50N03-06P-GE3是一款N溝道MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),由Semikron等制造商生產(chǎn)。該器件具有低導通電阻和快速開�(guān)速度,適用于多種電力電子�(yīng)用。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝工�,廣泛應(yīng)用于電源�(zhuǎn)�、電機驅(qū)動以及負載開�(guān)等領(lǐng)域�
這款MOSFET的最大額定電壓為30V,最大電流為50A,能夠滿足高效率和高性能的需�。其出色的熱性能和電氣特性使其成為工�(yè)和消費類電子�(chǎn)品的理想選擇�
最大漏源極電壓�30V
連續(xù)漏極電流�50A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�18nC
開關(guān)速度:超�
封裝形式:TO-252 (DPAK)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
SQD50N03-06P-GE3的主要特點是低導通電�,這有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率。同�,其快速的開關(guān)速度使得它在高頻�(yīng)用中表現(xiàn)出色。此�,該器件具有良好的熱�(wěn)定性和可靠�,能夠在極端溫度條件下正常運��
其緊湊的TO-252封裝�(shè)計簡化了PCB布局,并且支持高效的散熱管理。這些特點共同確保了該MOSFET在各種復雜環(huán)境中的卓越表�(xiàn)�
SQD50N03-06P-GE3適用于直�-直流�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電池管理系�(tǒng)、電機控�、LED�(qū)動器以及負載切換等場�。憑借其高電流承載能力和低導通損�,該器件非常適合需要高效功率傳�?shù)�?yīng)用場合�
此外,它也常用于工業(yè)自動化設(shè)�、家用電器及通信基礎(chǔ)�(shè)施中的功率管理部��
SQD50N03L-06P-GE3
SQJ59VN
IRLZ44N