SQD50N06-07L-GE3 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,采� TO-220 全絕緣封�。該器件適用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)器、負(fù)載切換等�(yīng)�,具有低�(dǎo)通電阻和高電流處理能力的特點(diǎn)。其最大工作電壓為 600V,能夠承受較高的反向電壓,并且在高頻開關(guān)�(yīng)用中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能�
� MOSFET 的封裝設(shè)�(jì)確保了良好的散熱性能,同�(shí)全絕緣封裝提高了�(chǎn)品的可靠性和安全�。此外,SQD50N06-07L-GE3 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),適合環(huán)保要求嚴(yán)格的�(xiàn)代電子設(shè)備�
型號(hào):SQD50N06-07L-GE3
類型:N 溝道增強(qiáng)� MOSFET
最大漏源電� Vds�600V
最大柵源電� Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流 Id�50A
�(dǎo)通電� Rds(on)�7mΩ(典型�,在 Vgs=10V �(shí)�
總功� Ptot�140W
�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝形式:TO-220 全絕�
主要特點(diǎn)是其低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力,這使其非常適合需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。以下為具體特性:
1. 高擊穿電壓:600V 的額定漏源電壓使得該器件能夠在高壓環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
2. 低導(dǎo)通電阻:典型值僅� 7mΩ(Vgs=10V�,顯著降低了傳導(dǎo)損耗,提高了效��
3. 快速開�(guān)速度:具備較低的輸入電容和輸出電荷,適合高頻開關(guān)�(yīng)��
4. 熱穩(wěn)定性:TO-220 封裝提供良好的散熱性能,可有效降低�(jié)��
5. 安全工作區(qū)�?qū)拸V:支持大電流和高電壓的組合操作,增強(qiáng)了應(yīng)用靈活��
6. 全絕緣封裝:提高電氣隔離性能,減少寄生效�(yīng)的影��
這些特性使 SQD50N06-07L-GE3 成為工業(yè)控制、汽車電子以及消�(fèi)類電子產(chǎn)品中的理想選��
1. 開關(guān)電源(SMPS):用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變器和 UPS 系統(tǒng)�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):適用于無刷直流電機(jī)(BLDC)和其他類型的電�(dòng)�(jī)控制�
3. 電池管理:如電池充電電路中的�(fù)載開�(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化:包括伺服�(qū)�(dòng)�、PLC 輸出模塊和固�(tài)繼電��
5. 汽車電子:如啟動(dòng)馬達(dá)控制、發(fā)電機(jī)�(diào)節(jié)和電�(dòng)車窗系統(tǒng)�
6. 高壓 LED �(qū)�(dòng):用于大功率 LED 照明系統(tǒng)的恒流控��
憑借其高性能和可靠�,SQD50N06-07L-GE3 可以滿足多種�(fù)雜應(yīng)用場(chǎng)景的需求�
IRF540N, STP55NF06L, FQP50N06L